Информация об авторе

,

Выпуск Раздел Название Файл
Том 52, № 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Контроль параметров травления кремния в вч плазме CHF3 методом оптической эмиссионной спектроскопии
Том 52, № 2 (2023) ДИАГНОСТИКА Измерения на РЭМ размеров рельефных структур в технологическом процессе производства микросхем
Том 52, № 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана
Том 52, № 1 (2023) ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека
Том 52, № 2 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Исследование возможности оптимизации взаимодействия NV-центров и фотонов путем изменения формы микрорезонаторов
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта
Том 52, № 2 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe2
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора
Том 52, № 2 (2023) ПРИБОРЫ Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры
Том 52, № 1 (2023) ПРИБОРЫ Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI
Том 52, № 1 (2023) ПРИБОРЫ Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур
Том 52, № 2 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в смеси HBr/Cl2/Ar
Том 52, № 2 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Исследование оптических свойств сверхтонких пленок на основе силицида металлов
Том 52, № 1 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He
Том 52, № 3 (2023) ДИАГНОСТИКА Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток {InGaAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) и (111)A
Том 52, № 4 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Томографии детекторов с учетом мертвого времени
Том 52, № 5 (2023) ДИАГНОСТИКА Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана
Том 52, № 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Прецизионная томография кудитов
Том 52, № 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика
Том 52, № 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Запись поляризационного состояния фотона в коррелированные электронные состояния массива квантовых точек
Том 52, № 5 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Защитные свободновисящие пленки для установок проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона
Том 52, № 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке
Том 52, № 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов
Том 52, № 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута
Том 52, № 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора
Том 52, № 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения
Том 52, № 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи
Том 52, № 5 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ О влиянии малых добавок F2, H2 и HF на концентрации активных частиц в плазме тетрафторметана
Том 52, № 5 (2023) ПАМЯТЬ Закономерности формирования подвижных локализованных магнитных конфигураций и технология изготовления структур для реализации элементов магнитной памяти
Том 52, № 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Одиночные структурные повреждения в СБИС
Том 52, № 5 (2023) ПРИБОРЫ Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы
Том 52, № 3 (2023) МЭМС–УСТРОЙСТВА Быстрый электрохимический микронасос для портативного модуля доставки лекарств
Том 52, № 4 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Концентрация атомов фтора и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смесях CF4 + O2, CHF3 + O2 и C4F8 + O2
Том 52, № 4 (2023) ПРИБОРЫ Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов
Том 52, № 3 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники
Том 52, № 4 (2023) ПРИБОРЫ Многоуровневые мемристивные структуры на основе эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 – δ
Том 52, № 3 (2023) УСТРОЙСТВА Моделирование системы наноантенн, расположенных в канале TSV, в качестве системы приема-передачи данных
Том 52, № 5 (2023) ПРИБОРЫ Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа
Том 52, № 4 (2023) СЕНСОРЫ Исследование сенсорных свойств упорядоченных массивов наностержней ZnO для детектирования УФ-излучения
Том 52, № 5 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO2–металл
Том 52, № 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Влияние мощности магнетронного распыления на осаждение пленок ITO при комнатной температуре
Том 52, № 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Механизмы перераспределения углеродных загрязнений в пленках, сформированных методом атомно-слоевого осаждения
Том 52, № 6 (2023) ДИАГНОСТИКА Зондовая и спектральная диагностика плазмы газовой среды: BCl3–Cl2
Том 52, № 6 (2023) МЭМС-УСТРОЙСТВА МЭМС-переключатель на основе кантилевера с увеличенным контактным усилием
Том 52, № 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование вертикального баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе нелегированной AlxGa1 – xAs квантовой нанопроволоки
Том 52, № 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Биполярный транзистор с оптической накачкой
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом
Том 52, № 6 (2023) ПРИБОРЫ Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям
Том 53, № 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия
Том 53, № 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности
Том 53, № 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование физико-химических и электронных свойств литийсодержащего 4Н-SiC и бинарных фаз системы Si–C–Li
Том 53, № 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование электронных свойств М-легированных суперъячеек Li4Ti5O12—М (М = Zr, Nb) с моноклинной структурой для литий-ионных аккумуляторов
Том 53, № 1 (2024) ПРИБОРЫ Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера
Том 53, № 1 (2024) ПРИБОРЫ Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Особенности электроформовки и функционирования мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур TiN–SiO2–Mo
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Молекулярное наслаивание аддитивного слоя диоксида кремния на анодированные оксиды тантала и ниобия
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Параметры и состав плазмы в смеси CF4 + H2 + Ar: эффект соотношения CF4/H2
Том 53, № 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Материалы для межсоединений интегральных схем с проектными нормами менее 5 нм
Том 53, № 2 (2024) ДИАГНОСТИКА Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе
Том 53, № 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Временные изменения механизмов токопрохождения в легированном эрбием пористом кремнии
Том 53, № 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Влияние примеси никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента
Том 53, № 3 (2024) ДИАГНОСТИКА Комплексное исследование неравномерности свойств тонкопленочного катода LiCoO2, изготовленного методом ВЧ-магнетронного распыления
Том 53, № 3 (2024) ДИАГНОСТИКА Влияние добавки водорода на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы тетрафторметана
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование кремниевых полевых конических GAA-нанотранзисторов со стековым SiO2/HfO2 подзатворным диэлектриком
Том 53, № 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Кинетика электромиграционного массопереноса в интерфейсных элементах микро- и наноэлектроники в зависимости от прочности тонкопленочных соединений
Том 53, № 3 (2024) ПАМЯТЬ Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером
Том 53, № 3 (2024) ПРИБОРЫ Влияние лазерного излучения на функциональные свойства приборных МОП-структур
Том 53, № 4 (2024) ДИАГНОСТИКА Исследование фотоэлектрических параметров неорганических солнечных элементов на основе Cu2O и CuO
Том 53, № 4 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Квантовый вентиль CNOT на пространственных фотонных кубитах с резонансным электрооптическим контролем
Том 53, № 4 (2024) МЕМРИСТОРЫ Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора
Том 53, № 4 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Аппроксимация спектра поглощения фосфида индия в контексте моделирования процесса очувствления
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Микроструктура островковых пленок Al на Si(111) при магнетронном напылении: влияние температуры подложки
Том 53, № 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии
Том 53, № 5 (2024) ДИАГНОСТИКА Исследования в условиях плазмы электронного циклотронного резонанса с применением резонанса на второй гармонике циклотронной частоты
Том 53, № 5 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Нанофотонный светоделитель на квантовых точках с ферстеровской связью
Том 53, № 5 (2024) ЛИТОГРАФИЯ Новая концепция развития высокопроизводительной рентгеновской литографии
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Математическое моделирование системы жидкостного охлаждения микропроцессора
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники
Том 53, № 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Исследование способов синтеза схем встроенного контроля на основе логической коррекции сигналов с применением равномерных разделимых кодов
Том 53, № 5 (2024) НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств
Том 53, № 5 (2024) ПРИБОРЫ Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора
Том 53, № 5 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Получение графена: осаждение и отжиг
Том 53, № 6 (2024) ДИАГНОСТИКА Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6
Том 53, № 6 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Влияние дефектов изготовления и электрических шумов на эволюцию зарядового кубита с оптическим управлением
Том 53, № 6 (2024) МЕМРИСТОРЫ Моделирование особенностей работы мемристивного кроссбар-массива в нейроморфных электронных модулях
Том 53, № 6 (2024) МЕМРИСТОРЫ Краткий обзор типологии нейронов и анализ использования мемристорных кроссбаров
Том 53, № 6 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Моделирование структурых свойств и явления переноса в легированных многокомпонентных 2D полупроводниках
Том 53, № 6 (2024) ПРИБОРЫ III-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером AlN: получение и экспериментальное применение
Том 53, № 6 (2024) ПРИБОРЫ Биполярный транзистор c туннельным пробоем
Том 53, № 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Параметры плазмы и кинетика травления Si/SiO2 в смесях фторуглеродных газов с аргоном и гелием
Том 53, № 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Исследование проводимости углеродных нанотрубок, осажденных на подложку на основе силицида иридия-кремний
Том 54, № 1 (2025) ЛИТОГРАФИЯ Исследование метода двойной литографии с использованием антиспейсера
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Кинетика экспонирования слоя позитивного фоторезиста на оптически согласованной подложке
Том 54, № 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Квантовый транспорт носителей заряда в треугольной яме с учётом поверхностного рассеяния
Том 54, № 1 (2025) НАНОСТРУКТУРЫ Формирование композитных магнитных наноструктур на основе никеля для устройств микроэлектроники и нанодиагностики
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Исследование режимов осаждения пленок Cu2O методом ВЧ магнетронного распыления для применения в структурах солнечных элементов
Том 54, № 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники
Том 54, № 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Закономерности переноса рентгеновского излучения в легированных многокомпонентных полупроводниках для дозиметрии
Том 54, № 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Измерение энергии адгезии между элементами мэмс с помощью залипшего кантилинера
Том 54, № 2 (2025) МЕМРИСТОРЫ Многоуровневые переключения в мемристивных структурах на основе оксидированного селенида свинца
Том 54, № 2 (2025) НАНОСТРУКТУРЫ Электрические характеристики рутениевых дорожек с площадью поперечного сечения менее 1000 нм²
Том 54, № 2 (2025) НАНОТРАНЗИСТОРЫ Влияние шероховатости границы на вариативность вах кремневых полевых GAA нанотранзисторов
Том 54, № 2 (2025) ПРИБОРЫ Сегнетоэлектрические транзисторы: принципы работы, материалы, приложения
Том 54, № 2 (2025) ТЕХНОЛОГИИ ПРЕЦИЗИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ПРОВОДНИКОВ В ТЕХНОЛОГИИ КОММУТИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ
Том 54, № 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Метод автоматизированного расчёта зёрен и пустот в металлических плёнках и TSV-структурах
Том 54, № 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнитронного распыления
Том 54, № 3 (2025) МЕМРИСТОРЫ Обучение с подкреплением импульсной нейронной сети с использованием следовых переменных для синаптических весов с мемристивной пластичностью
Том 54, № 3 (2025) МЕМРИСТОРЫ СТАБИЛИЗАЦИЯ СОСТОЯНИЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ В ПРОЦЕССЕ НАЧАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЙ ПОСЛЕ ФОРМОВКИ
Том 54, № 3 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Особенности формирования сбоев в сбис при воздействии импульсного ионизирующего излучения
Том 54, № 3 (2025) ПРИБОРЫ Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой drift областью
Том 54, № 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЕ ТРАВЛЕНИЕ РУТЕНИЯ В ТРЕХКОМПОНЕНТНОЙ ПЛАЗМЕ Cl2/O2/Ar
Том 54, № 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Самосборка трехмерных мезоструктур с использованием локальной ионно-плазменной обработки

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».