Hydrogen Plasma under Conditions of Electron-Cyclotron Resonance in Microelectronics Technology

E. A. Polushkin; Полушкин Е. А.; S. V. Nefed’ev; Нефедьев С. В.; A. V. Koval’chuk; Ковальчук А. В.; O. A. Soltanovich; Солтанович О. А.; S. Yu. Shapoval; Шаповал С. Ю.

doi:10.31857/S0544126923700321

Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники

Авторы: Полушкин Е.А.¹^,2, Нефедьев С.В.¹, Ковальчук А.В.³, Солтанович О.А.³, Шаповал С.Ю.³
Учреждения:
1. АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”,
2. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
3. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Выпуск: Том 52, № 3 (2023)
Страницы: 236-239
Раздел: ТЕХНОЛОГИИ
URL: https://bakhtiniada.ru/0544-1269/article/view/138573
DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126923700321
EDN: https://elibrary.ru/UECTWT
ID: 138573

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

В работе представлены результаты применения водородной ЭЦР плазмы в технологии микроэлектроники. Продемонстрировано ее влияние на радиационную стойкость ИС и на качество омического контакта при формировании UBM металлизации. Проведен анализ устройств, полученных с применением ЭЦР плазмы и без нее.

Ключевые слова

ЭЦР, радиационная стойкость, водород, водородная обработка материалов

Список литературы

Herring C. Energy levels of isolated interstitial h-ydrogen in silicon / C. Herring, N.M. Johnson, C.G. Van De Walle // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2001. V. 64. № 12. P. 1252091–12520927. EDN XOOMMJhttps://doi.org/10.1103/physrevb.64.125209
Influence of diffusion hydrogen on the radiation hardness of silicon devices / E.A. Polushkin, A.V. Kovalchuk, O.A. Soltanovich [et al.] // Proceedings of SPIE V. 12157, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, 1215711 (2022). EDN MBGAEWhttps://doi.org/10.1117/12.2624184
Гольцов В.А. Фундаментальные основы водородной обработки материалов / В.А. Гольцов // Письма в международный научный журнал “Альтернативная энергетика и экология”. 2014. № 2(2). С. 31–33. EDN RYPZWV.
Popov O.A. 2.45 GHz microwave plasmas at magnetic fields below ECR / O.A. Popov, S.Y. Shapoval, M.D. Yoder // Plasma Sources Science and Technology. 1992. V. 1. № 1. P. 7–12. EDN VECNSXhttps://doi.org/10.1088/0963-0252/1/1/002
Темирбулатов М.С. Космическая программа и радиационная стойкость современных интегральных микросхем / М.С. Темирбулатов, В.И. Эннс // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2015. № 2(158). С. 76–88..
Змеев С.В. Коммутация кристаллов припойными шариками в микросистемах 2,5D- и 3D-сборок / С.В. Змеев // Наноиндустрия. 2020. № S96-2. С. 434–437. EDN UKVTNKhttps://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.434.437