Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Определены условия роста методом HW CVD слоев Ge n-типа проводимости с параметрами, требуемыми для создания Ge-МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа. Оптимизированы условия осаждения методом электронно-лучевого осаждения и последующего отжига слоев подзатворного high-k диэлектрика ZrO2:Y2O3, позволяющие достигнуть величины тока утечки 5 × 10–6 А/см2. Для разработанной приборной структуры проведен расчет некоторых параметров Ge-МДП-транзистора, таких как длина канала, максимальное напряжение между стоком и истоком, пробивное напряжение.

Об авторах

Н. А. Алябина

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород

Е. А. Архипова

Институт физики микроструктур РАН

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижегородская обл., д. Афонино

Ю. Н. Бузынин

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского; Институт физики микроструктур РАН

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород; Нижегородская обл., д. Афонино

С. А. Денисов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород

А. В. Здоровейщев

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород

А. М. Титова

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород

В. Ю. Чалков

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Россия, Нижний Новгород

В. Г. Шенгуров

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

Список литературы

  1. Неизвестный И.М. Германиевый полевой транзистор с изолированным затвором (Ge МДПТ) // Вестник СибГУТИ. 2009. № 3. С. 5—9.
  2. Goley P.S., Mantu K.H. Germanium Based Field-Effect Transistor: Challenges and Opportunities // Materials. 2014. № 7. С. 2301—2339.
  3. Yi S.H., Chang-Liao K.S., Wu T.Y., Hsu C.W., Huang J. High performance Ge pMOSFETs with HfO2/Hf-Cap/GeOx gate stack and suitable post metal annealing treatments // IEEE Trans Electron Devices. 2017. № 37. P. 544—547.
  4. Liu H., Han G., Liu Y., Hao Y. High Mobility Ge pMOSFETs with ZrO2 Dielectric: Impacts of Post Annealing Nanoscale Research Letters. 2019. V. 14. P. 202.
  5. Shin Y., Chung W., Seo Y., Lee C.H., Sohn D.K., Cho B.J. Demonstration of Ge pMOSFETs with 6 Å EOT using TaN/ZrO2/Zr-cap/n-Ge(100) gate stack fabricated by novel vacuum annealing and in-situ metal capping method // IEEE Symposium on VLSI Technology. 2014. P. 82—83.
  6. Lin C.M., Chang H.C., Chen Y.T., Wong I.H., Lan H.S., Luo S.J., Lin J.Y., Tseng Y.J., Liu C.W., Hu C., Yang F.L. Interfacial layer-free ZrO2 on Ge with 0.39-nm EOT, κ ~ 43, ~2 × 10–3 A/cm2 gate leakage, SS = 85 mV/dec, Ion/Ioff = 6 × 105, and high strain response. Electron Devices Meeting (IEDM) // 2012 IEEE International. 2012. P. 23.2.1—23.2.4.
  7. Henkel C., Abermann S., Bethge O., Pozzovivo G., Klang P., Reiche M., Bertagnolli E. Ge p-MOSFETs with scaled ALD La2O3/ZrO2 gate dielectrics // IEEE Trans Electron Devices. 2010. V. 57. P. 3295—3302.
  8. Seo Y., Lee T.I., Yoon C.M., Park B.E., Hwang W.S., Kim H. The impact of an ultrathin Y2O3 layer on GeO2 passivation in Ge MOS gate stacks // IEEE Trans Electron Devices. 2017. V. 64. P. 3303—3307.
  9. Kamata Y. High-k/Ge MOSFETs for Future Nanoelectronics // Materials today. 2008. V. 11. Nos. 1-2 P. 31—38.
  10. Wu N., Zhang Q., Chan D.S.H., Balasubramanian N., Zhu C. Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation // IEEE Electron Device Letters. 2006. V. 27. № 6. P. 479—491.
  11. Kamata Y. High-k/Ge MOSFETs for future nanoelectronics // Materials Today. 2008. V. 11. № 1. P. 30—38.
  12. Buzynin A.N., Osiko V.V., Buzynin Y.N. Fianite: a multipurpose electronics material // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2010. V. 74. № 7. P. 1027—1033.
  13. Buzynin A.N., Buzynin Y.N., Panov V.A. Applications of Fianite in Electronics. Advances in OptoElectronics. Vol. 2012. P. 23.
  14. Buzynin Y., Shengurov V., Zvonkov B., Buzynin A., Denisov S., Baidus N., Drozdov M., Pavlov D., Yunin P. GaAs/Ge/Si Epitaxial Substrates: Development and Characteristics. Green and Sustainable Chemistry. 2017. V. 7. № 3. 015304.
  15. Титова А.М., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Здоровейщев А.В., Шенгуров В.Г. Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на n+-Si(001)-подложках // Физика и техника полупроводников. 2022. V. 56. № 9 P. 339—343.
  16. Bean J.C., Leamy H.J., Poate J.M., Rozgonyi G.A., Sheng T.T., Williams J.S., Celler G.K. Epitaxial laser crystallization of thin‐film amorphous silicon // Applied Physics Letters. 1978. V. 33. P. 227—230.
  17. Никифоров А.И., Кантер Б.З., Стенин С.И. Получение многослойных кремниевых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Электронная промышленность. 1989. № 6. P. 3—5.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».