Author Details

,

Issue Section Title File
Vol 52, No 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy
Vol 52, No 2 (2023) ДИАГНОСТИКА SEM Measurements of the Dimensions of Relief Structures in the Technological Process of Manufacturing Microcircuits
Vol 52, No 1 (2023) ДИАГНОСТИКА Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана
Vol 52, No 1 (2023) ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека
Vol 52, No 2 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Investigation of the Possibility of Optimizing the Interaction of NV Centers and Photons by Changing the Shape of Microresonators
Vol 52, No 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ Calculation of the Electric Field Strength and Current Density Inside a Thin Metal Layer, Taking into Account the Skin Effect
Vol 52, No 2 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Cross Sections of Scattering Processes in Electron-Beam Lithography
Vol 52, No 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2
Vol 52, No 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора
Vol 52, No 2 (2023) ПРИБОРЫ Oxide Memristors for ReRAM: Approaches, Characteristics, and Structures
Vol 52, No 1 (2023) ПРИБОРЫ Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact
Vol 52, No 1 (2023) ПРИБОРЫ Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур
Vol 52, No 2 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Vol 52, No 2 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Investigation of the Optical Properties of Ultrathin Films Based on Metal Silicide
Vol 52, No 1 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He
Vol 52, No 3 (2023) ДИАГНОСТИКА Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates
Vol 52, No 4 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Tomography of Detectors Taking Dead Time into Account
Vol 52, No 5 (2023) ДИАГНОСТИКА Electrophysical Parameters and Emission Spectra of the Glow Discharge of Difluorodichloromethane
Vol 52, No 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Precise Tomography of Qudits
Vol 52, No 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of Silicon FETs with a Fully Enclosed Gate with a High-k Gate Dielectric
Vol 52, No 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Recording the Polarization State of a Photon in the Correlated Electronic States of an Array of Quantum Dots
Vol 52, No 5 (2023) ЛИТОГРАФИЯ Protective Freely Hanging Films for Projection Lithography Installations in the Extreme UV Range
Vol 52, No 4 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Influence of Boundary Conditions on Quantum Magnetotransport in a Thin Film
Vol 52, No 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of the Effect of Lattice Defects on the Work of Separating Joined Materials
Vol 52, No 5 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure
Vol 52, No 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor
Vol 52, No 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Study of the Sensitive Region of a MOS Transistor to the Effects of Secondary Particles Arising from Ionizing Radiation
Vol 52, No 3 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of the Adsorption and Diffusion of Lithium Atoms on Defective Graphene for a Li-Ion Battery
Vol 52, No 5 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Vol 52, No 5 (2023) ПАМЯТЬ Patterns of the Formation of Mobile Localized Magnetic Configurations and Technology for Manufacturing Structures for the Implementation of Magnetic Memory Elements
Vol 52, No 4 (2023) НАДЕЖНОСТЬ Single Event Displacement Effects in a VLSI
Vol 52, No 5 (2023) ПРИБОРЫ Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms
Vol 52, No 3 (2023) МЭМС–УСТРОЙСТВА Fast Electrochemical Micropump for Portable Drug Delivery Module
Vol 52, No 4 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
Vol 52, No 4 (2023) ПРИБОРЫ Influence of Structural Defects on the Electrophysical Parameters of pin-Photodiodes
Vol 52, No 3 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Hydrogen Plasma under Conditions of Electron-Cyclotron Resonance in Microelectronics Technology
Vol 52, No 4 (2023) ПРИБОРЫ Multilevel Memristive Structures Based on YBa2Cu3O7–δ Epitaxial Films
Vol 52, No 3 (2023) УСТРОЙСТВА Simulation of a System of Nanoantennas Located in a TSV Channel as a System for Receiving and Transmitting Data
Vol 52, No 5 (2023) ПРИБОРЫ Influence of Hot Carrier Degradation on the Characteristics of a High-Voltage SOI Transistor with a Large Drift Region
Vol 52, No 4 (2023) СЕНСОРЫ Study of the Sensor Properties of Ordered ZnO Nanorod Arrays for the Detection of UV Radiation
Vol 52, No 5 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Effect of the Material of Electrodes on Electroformation and Properties of Memristors Based on Open Metal–SiO2–Metal Sandwich Structures
Vol 52, No 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Effect of Magnetron Sputtering Power on ITO Film Deposition at Room Temperature
Vol 52, No 4 (2023) ТЕХНОЛОГИИ Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition
Vol 52, No 6 (2023) ДИАГНОСТИКА PROBE AND SPECTRAL DIAGNOSTICS OF PLASMA GAS ENVIRONMENT: BCl3-Cl2
Vol 52, No 6 (2023) МЭМС-УСТРОЙСТВА MEMS SWITCH BASED ON CANTILEVER WITH INCREASED CONTACT FORCE
Vol 52, No 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of vertical ballistic quantum-barrier field-effect transistor based on undoped AlxGa1–xAs quantum nanowire
Vol 52, No 6 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ Performance calculation for a MEMS switch with «floating» electrode
Vol 52, No 6 (2023) ПРИБОРЫ Electrophysical parameters of p-i-n photodiodes, irradiated with 60Co γ-quanta
Vol 52, No 6 (2023) ПРИБОРЫ OPTICALLY PUMPED BIPOLAR TRANSISTOR
Vol 52, No 6 (2023) ПРИБОРЫ Prototypes of devices for heterogeneous hybrid semiconductor electronics with an embedded biomolecular domain
Vol 52, No 6 (2023) ПРИБОРЫ Design of integrated voltage multipliers using standard CMOS technologies
Vol 53, No 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping
Vol 53, No 1 (2024) ДИАГНОСТИКА Structuring of the Surface of Thin Carbon Films During Activation by Microsecond Current Pulses
Vol 53, No 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of Physical-Chemical and Electronic Properties of Lithium-Containing 4H—SiC and Binary Phases of the Si—C–Li System
Vol 53, No 1 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of the Electronic Properties of M-Doped Supercells (М = Zr, Nb) with a Monoclinic Structure For Lithium-Ion Batteries
Vol 53, No 1 (2024) ПРИБОРЫ Electron Transport in a Bipolar Transistor with a Superlattice in the Emitter
Vol 53, No 1 (2024) ПРИБОРЫ Research of Memristor Effect in Crossbar Architecture for Neuromorphic Artificial Intelligence Systems
Vol 53, No 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Application of Spectral Ellipsometry for Dielectric, Metal and Semiconductor Films in Microelectronics Technology
Vol 53, No 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO2–Mo Sandwich Structures
Vol 53, No 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Molecular Layering of an Additive Layer of Silicon Dioxide on Anodized Tantalum and Niobium Oxides
Vol 53, No 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF4 + H2 + Ar: Effect of the CF4/H2 Ratio
Vol 53, No 1 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Interconnects Materials for Integrated Circuit Technology Below 5 Nm Node
Vol 53, No 2 (2024) ДИАГНОСТИКА Structural features and electrical properties of si(al) thermal migration channels for high-voltage photovoltaic converters
Vol 53, No 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling the diffusion of atoms in multicomponent semiconductors in a disordered state
Vol 53, No 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Application of the finite element method for calculating the surface acoustic wave parameters and devices
Vol 53, No 2 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits
Vol 53, No 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology
Vol 53, No 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Temporary changes in current flow mechanisms in erbium-doped porous silicon
Vol 53, No 2 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Influence of nickel impurities on the operational parameters of a silicon solar cell
Vol 53, No 3 (2024) ДИАГНОСТИКА A comprehensive study of nonuniformity properties of the LiCoO2 thin-film cathode fabricated by RF sputtering
Vol 53, No 3 (2024) ДИАГНОСТИКА Influence of Hydrogen Additive on Electrophysical Parameters and Emission Spectra of Tetrafluoromethane Plasma
Vol 53, No 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Thermal modelling and layout optimization of GaN half-bridge IC with integrated drivers and power HEMTs
Vol 53, No 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Simulation of silicon conical field effect GAA nanotransistors with stack SiO2/HfO2 dielectric of gate
Vol 53, No 3 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Kinetics of electromigration mass transfer in micro- and nanoelectronics interface elements depending on the strength of thin-film junctions
Vol 53, No 3 (2024) ПАМЯТЬ The structure and formation of non-volatile memory cells of Superflash
Vol 53, No 3 (2024) ПРИБОРЫ Development of the Ge-MDST instrument structure with an induced p-type channel
Vol 53, No 3 (2024) ПРИБОРЫ Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier
Vol 53, No 3 (2024) ПРИБОРЫ The Effect оf Laser Radiation оn Functional Properties of MOS Structures
Vol 53, No 4 (2024) ДИАГНОСТИКА Study of the Photovoltaic Parameters of Inorganic Solar Cells Based on Cu2O and CuO
Vol 53, No 4 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ CNOT Quantum Gate Based on Spatial Photonic Qubits Under Resonant Electro-Optical Control
Vol 53, No 4 (2024) MEMRISTORS Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor
Vol 53, No 4 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Approximation of the Absorption Spectrum of Indium Phosphide in the Context of Simulation of the Process of Sensitivity Enhancement
Vol 53, No 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis
Vol 53, No 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology and Strain
Vol 53, No 4 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium
Vol 54, No 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ AZ nLOF series photoresist films on monocrystalline silicon
Vol 53, No 5 (2024) ДИАГНОСТИКА Electron cyclotron resonance plasma studies using the second cyclotron harmonic resonance
Vol 53, No 5 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Nanophotonic beam-splitter based on quantum dots with förster coupling
Vol 53, No 5 (2024) ЛИТОГРАФИЯ New concept for the development of high-performance X-ray lithography
Vol 53, No 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier
Vol 53, No 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Mathematical modeling of a microprocessor liquid cooling system
Vol 53, No 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Parameters matching of the thermoelectric system parameters for cooling heat-loaded electronics elements
Vol 53, No 5 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Investigation of ways to synthesize concurrent error-detection circuits based on boolean signals correction using uniform separable codes
Vol 53, No 5 (2024) NEUROMORPHIC SYSTEMS Development of an imagery representation apparatus for information representation in neyromorphic devices
Vol 53, No 5 (2024) ПРИБОРЫ Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor
Vol 53, No 5 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Producing of graphene: deposition and annealing
Vol 53, No 6 (2024) ДИАГНОСТИКА Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF6 Plasma
Vol 53, No 6 (2024) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Influence of Manufacture Imperfections and Electrical Noise on Evolution of a Charge Qubit under Optical Control
Vol 53, No 6 (2024) MEMRISTORS Simulation of Memristive Crossbar Array Electrical Behavior in Neuromorphic Electronic Blocks
Vol 53, No 6 (2024) MEMRISTORS A Brief Overview of the Typology of Neurons and Analysis of Using Memristor Crossbars
Vol 53, No 6 (2024) МОДЕЛИРОВАНИЕ Modeling of Structural Properties and Transport Phenomena in Doped Multicomponent 2D Semiconductors
Vol 53, No 6 (2024) ПРИБОРЫ III-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier: Fabrication and Experimental Application
Vol 53, No 6 (2024) ПРИБОРЫ Tunnel Breakdown Bipolar Transistor
Vol 53, No 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
Vol 53, No 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Conductivity Study of Carbon Nanotubes Deposited on Iridium Silicon-Silicide Substrate
Vol 54, No 1 (2025) ЛИТОГРАФИЯ Investigation of double patterning method with the usage of antispacer
Vol 54, No 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
Vol 54, No 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Exposure kinetics of a positive photoresist layer on an optically matched substrate
Vol 54, No 1 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Influence of boundary conditions on transport in a quantum well
Vol 54, No 1 (2025) NANOSTRUCTURES Formation of nickel-based composite magnetic nanostructures for microelectronics and nanodiagnostics devices
Vol 54, No 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Study of deposition modes of Cu2O films by RF magnetron sputtering for application in solar cell structures
Vol 54, No 1 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Development of atomic layer deposition technological platform for the synthesis of micro- and nanoelectronics materials
Vol 54, No 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Regularities of X-ray transfer in doped multicomponent semiconductors for dosimetry
Vol 54, No 2 (2025) ДИАГНОСТИКА Measuring adhesion energy between MEMS structures using an adhered cantilever
Vol 54, No 2 (2025) MEMRISTORS Multilevel switchings in memristive structures based on oxidized lead selenide
Vol 54, No 2 (2025) NANOSTRUCTURES Electrical characteristics of ruthenium lines with a cross-sectional area less than 1000 nm²
Vol 54, No 2 (2025) NANOTRANSISTORS Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors
Vol 54, No 2 (2025) ПРИБОРЫ Ferroelectric transistors: operating principles, materials, applications
Vol 54, No 2 (2025) ТЕХНОЛОГИИ PRECISION ETCHING OF ALUMINUM CONDUCTORS IN THE TECHNOLOGY OF SWITCHING DEVICES OF MICROSYSTEMS TECHNOLOGY
Vol 54, No 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Method for automated calculation of grains and voids in metal films and TSV-structures
Vol 54, No 3 (2025) ДИАГНОСТИКА Structure of thin titanium nitride films deposited by magnetron sputtering
Vol 54, No 3 (2025) MEMRISTORS Reinforcement learning of spiking neural networks using trace variables for synaptic weights with memristive plasticity
Vol 54, No 3 (2025) MEMRISTORS STABILIZATION OF MEMRISTOR CELL STATES DURING INITIAL SWITCHING PROCESS AFTER FORMING
Vol 54, No 3 (2025) МОДЕЛИРОВАНИЕ Features of upsets formation in VLSI under pulsed ionizing radiation
Vol 54, No 3 (2025) ПРИБОРЫ Temperature characteristics of a simple current mirror on silicon high-voltage nLDMOS with a large drift area
Vol 54, No 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ NANOSTRUCTURED RUTHENIUM ETCHING IN THREE-COMPONENT Cl2/O2/Ar PLASMA
Vol 54, No 3 (2025) ТЕХНОЛОГИИ Self-assembly of 3d mesostructures using local ion-plasma treatment

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».