Информация об авторе

Voitsekhovskii, A. V.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 58, № 12 (2016) Physics of Semiconductors and Dielectrics Photoconductivity in Magnetic Field of р-Type Cadmium – Mercury – Tellurium Films Grown by Liquid Phase Epitaxy
Том 59, № 2 (2016) Article Peculiarities of Determining the Dopant Concentration in the Near-Surface Layer of a Semiconductor by Measuring the Admittance of MIS Structures Based on P-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular Beam Epitaxy
Том 59, № 3 (2016) Physics of Semiconductors and Dielectrics Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
Том 59, № 7 (2016) Physics of Semiconductors and Dielectrics Temperature and Field Dependences of Parameters of the Equivalent Circuit Elements of MIS Structures Based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the Strong Inversion Mode
Том 60, № 1 (2017) Article Electron Concentration in the Near-Surface Graded-Gap Layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) Determined from the Capacitance Measurements of MIS-Structures
Том 60, № 2 (2017) Article Temperature Dependences of the Product of the Differential Resistance by the Area in MIS-Structures Based on CdxHg1–xTe Grown by Molecularbeam Epitaxy on Alternative Si and GaAs Substrates
Том 60, № 10 (2018) Article Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films
Том 60, № 11 (2018) Article Admittance of MIS-Structures Based on HgCdTe with a Double-Layer CdTe/Al2O3 Insulator
Том 60, № 11 (2018) Article Comparison of the Growth Processes of Germanium Quantum Dots on the Si(100) and Si(111) Surfaces
Том 60, № 12 (2018) Article High-Sensitive Two-Layer Photoresistors Based on p-CdxHg1–xTe with a Converted Near-Surface Layer
Том 60, № 12 (2018) Article Generation of Surface Defects in Epitaxial CdxHg1–xTe Layers by Soft X-ray Radiation of Laser Plasma
Том 61, № 6 (2018) Anniversary Journal Ion Implantation in Narrow-Gap CdxHg1–xTe Solid Solutions
Том 61, № 11 (2019) Article Peculiarities of Modeling the Frequency Dependences of Admittance of MIS Structure Based on Organic P3HT Film with an Insulator Al2O3 Layer
Том 62, № 1 (2019) Article Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator
Том 62, № 2 (2019) Physics of Semiconductors and Dielectrics Admittance of Organic LED Structures with an Emission YAK-203 Layer
Том 62, № 5 (2019) Article Admittance Characteristics of nBn Structures Based on Hgcdte Grown by Molecular Beam Epitaxy
Том 62, № 6 (2019) Physics of Semiconductors and Dielectrics Current-Voltage Characteristics of nBn Structures Based on Mercury Cadmium Telluride Epitaxial Films
Том 62, № 6 (2019) Article Contribution of Mechanical Stresses to the Surface Relief Formation Under Laser Irradiation of Semiconductors

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».