Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

In a wide range of frequencies and temperatures, the admittance of MIS structures based on pentacene organic films, formed by thermal evaporation in vacuum on SiO2 and SiO2/Ga2O3 substrates, was experimentally investigated. The capacitance-voltage characteristics of MIS structures with a SiO2 insulator have virtually no hysteresis. It is shown that at temperatures of 150–300 K, an inversion layer is formed in the structures at large positive bias voltages. The concentration of holes in pentacene, determined from the capacitive measurements, exceeds 1018 cm–3 and is practically independent of temperature and frequency. The experimental frequency dependences of the admittance of MIS structures with the SiO2 insulator are in good agreement with the results of calculations performed using the method of equivalent circuits. For structures with a Ga2O3 layer, the negative differential conductance of the insulating layer was detected, which requires the complication of the equivalent circuit. The possibility of using the low-temperature admittance measurements for studying the traps in the pentacene film bulk is shown.

Об авторах

V. Novikov

National Research Tomsk State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

A. Voitsekhovskii

National Research Tomsk State University; V. D. Kuznetsov Siberian Physical-Technical Institute at Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk; Tomsk

S. Nesmelov

National Research Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

S. Dzyadukh

National Research Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

T. Kopylova

V. D. Kuznetsov Siberian Physical-Technical Institute at Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

K. Degtyarenko

V. D. Kuznetsov Siberian Physical-Technical Institute at Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

E. Chernikov

V. D. Kuznetsov Siberian Physical-Technical Institute at Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

V. Kalygina

National Research Tomsk State University

Email: novikovvadim@mail.ru
Россия, Tomsk

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature, 2019

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».