Plasma-chemical synthesis of transparent dielectric Si–C–O–H films from trimethylphenoxysilane

Autores: Ermakova E.N.¹, Rumyantsev Y.M.¹, Rakhlin V.I.², Kosinova M.L.¹
Afiliações:
1. Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch
2. Irkutsk Institute of Chemistry, Siberian Branch
Edição: Volume 50, Nº 3 (2016)
Páginas: 224-227
Seção: Short Communications Plasma Chemistry
URL: https://bakhtiniada.ru/0018-1439/article/view/156977
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018143916030085
ID: 156977

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Deposition Temperature, High Energy Chemistry, Monosilane, Ethylsilane, Plasma Chemistry Plasma

Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch

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Email: ermakova@niic.nsc.ru
Rússia, pr. Akademika Lavrent’eva 3, Novosibirsk, 630090

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Ação

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