Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering

T. Z. Lygdenova; V. M. Kalygina; V. A. Novikov; I. A. Prudaev; O. P. Tolbanov; A. V. Tyazhev

doi:10.1007/s11182-018-1302-0

Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering

Авторы: Lygdenova T.Z.¹, Kalygina V.M.¹, Novikov V.A.¹, Prudaev I.A.¹, Tolbanov O.P.¹, Tyazhev A.V.¹
Учреждения:
1. National Research Tomsk State University
Выпуск: Том 60, № 11 (2018)
Страницы: 1911-1916
Раздел: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/239609
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1302-0
ID: 239609

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The results of an analysis of structure and phase composition of gallium oxide films obtained by HF-magnetron sputtering are presented. It is shown that in the interval 290–350 K, the increase in the film conductivity with increasing temperature is due to the excitation of electrons from a local level Е_t located 0.95 eV below the conduction band bottom.