Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering

T. Z. Lygdenova; V. M. Kalygina; V. A. Novikov; I. A. Prudaev; O. P. Tolbanov; A. V. Tyazhev

doi:10.1007/s11182-018-1302-0

Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering

Авторлар: Lygdenova T.Z.¹, Kalygina V.M.¹, Novikov V.A.¹, Prudaev I.A.¹, Tolbanov O.P.¹, Tyazhev A.V.¹
Мекемелер:
1. National Research Tomsk State University
Шығарылым: Том 60, № 11 (2018)
Беттер: 1911-1916
Бөлім: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/239609
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1302-0
ID: 239609

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The results of an analysis of structure and phase composition of gallium oxide films obtained by HF-magnetron sputtering are presented. It is shown that in the interval 290–350 K, the increase in the film conductivity with increasing temperature is due to the excitation of electrons from a local level Е_t located 0.95 eV below the conduction band bottom.