Developing Methods for Wet Chemical Etching of a Separation Mesa Structure during Creation of Multijunction Solar Cells


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The postgrowth processing of mesa structures for multijunction solar cells based on GaInP/GaInAs/Ge heterostructure has been studied. Methods of wet chemical and electrochemical etching are considered, and a technology of forming a separation mesa structure is proposed that ensures improved surface quality and profile of the side wall of a mesa for heterostructures with various compositions of layers.

Авторлар туралы

A. Malevskaya

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Il’inskaya

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

V. Andreev

Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences

Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019