STABILIZATION OF MEMRISTOR CELL STATES DURING INITIAL SWITCHING PROCESS AFTER FORMING

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

A self-consistent model describing the break/restoration of a conducting channel-filament in a memristor cell based on the transport of oxygen vacancies in transition metal oxides is build. The stabilization of the memristor cell conductivity during initial switching from a low-resistance state to a high-resistance state and back is studied.

Palavras-chave

Sobre autores

A. Fadeev

NRC “Kurchatov Institute” – Valiev IPT

Autor responsável pela correspondência
Email: AlexVFadeev@gmail.com
Moscow, Russia

K. Rudenko

NRC “Kurchatov Institute” – Valiev IPT

Email: rudenko@ftian.ru
Moscow, Russia

Bibliografia

  1. Fadeev A.V., Rudenko K.V. Filament-based memristor switching model // Microelectron. Eng. 2024. V. 289 P. 112179. https://doi.org/10.1016/j.mee.2024.112179
  2. Fadeev A.V., Rudenko K.V. Evolution of the Current–Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor, Russian Microelectronics. 2024, V. 53(4). P. 297–302. https://doi.org/10.1134/S1063739724600432
  3. Permiakova O.O., Rogozhin A.E., Miakonkikh A.V., Smirnova E.A., Rudenko K.V. Transition between resistive switching modes in asymmetric HfO2-based structures. // Microelectron. Eng. 2023. V. 275. P. 111983. https://doi.org/10.1016/j.mee.2023.111983
  4. Zhang K., Ganesh P., Cao Y. Deterministic Conductive Filament Formation and Evolution for Improved Switching Uniformity in Embedded Metal-Oxide-Based Memristors─A Phase-Field Study. ACS // Appl. Mater. Interfaces 2023. V. 15(17). P. 21219–21227. https://doi.org/10.1021/acsami.3c00371
  5. Roldán, J.B., Miranda E., Maldonado D., Mikhaylov A.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Koryazhkina M.N., González M., Villena M.A., Poblador S., Saludes-Tapia M., Picos R., Jiménez-Molinos F., Stavrinides S.G., Salvador E., Alonso F., Campabadal F., Spagnolo B., Lanza M., Chua L.O. Variability in resistive memories // Adv. Intell. Syst. 2023. V. 5(6). P. 2200338. https://doi.org/10.1002/aisy.202200338
  6. Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov D., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Adv. Mater. Technol. 2020. V. 5. P. 1900607. https://doi.org/10.1002/admt.201900607
  7. Zhang Y., Mao G.Q., Zhao X. et al. Evolution of the conductive filament system in HfO2-based memristors observed by direct atomic-scale imaging // Nat. Commun. 2021. V. 12. P. 7232. https://doi.org/10.1038/s41467-021-27575-z
  8. Privitera S., Bersuker G., Butcher B., Kalantarian A., Lombardo S., Bongiorno C., Geer R., Gilmer D.C., Kirsch P.D. Microscopy study of the conductive filament in HfO2 resistive switching memory devices // Microelectron. Eng. 2013. V. 109. P. 75–78. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.145
  9. Marchewka A., Waser R. and Menzel S. Physical simulation of dynamic resistive switching in metal oxides using a Schottky contact barrier model. // 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Washington DC. USA. 2015. P. 297–300. https://doi.org/10.1109/SISPAD.2015.7292318
  10. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. // Third ed., John Wiley & Sons, New Jersey, 2007. ISBN:9780471143239

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».