ВЛИЯНИЕ ПОСТРОСТОВОГО ОТЖИГА НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Изучено влияние постростового отжига на дислокационную структуру малодислокационных монокристаллов германия диаметром 100 мм, выращенных методом Чохральского. Отжиг проводился в изотермических условиях при температуре 700°С в течение 40 ч в тепловом узле ростовой установки после отрыва кристалла от расплава перед началом охлаждения. Установлено, что плотность дислокаций в кристаллах, полученных с применением постростового отжига, составляет от 14 до 105 см−2, что в среднем в 5 раз ниже, чем в кристаллах, полученных в идентичных условиях, но без отжига.

Об авторах

А. Ф Шиманский

Сибирский федеральный университет

Email: shimanaf@mail.ru
Красноярск, Россия

А. П Григорович

АО "ГЕРМАНИЙ"

Красноярск, Россия

И. А Каплунов

Тверской государственный университет

Тверь, Россия

Т. В Кулаковская

АО "ГЕРМАНИЙ"

Красноярск, Россия

Е. Д Кравцова

Сибирский федеральный университет

Красноярск, Россия

М. Н Васильева

Сибирский федеральный университет

Красноярск, Россия

Список литературы

  1. Dimroth F., Kurtz S. // MRS Bull. 2007. V. 32. P. 230. https://doi.org/10.1557/mrs2007.27
  2. Luque A., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2003. 1168 p.
  3. Claeys C.L., Simoen E. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices. 1st ed. Berlin: Elsevier, 2007. 449 p.
  4. Claeys C.L., Simoen E. Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects. Berlin: Springer, 2009. 297 p. https://doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6
  5. Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.002
  6. Kalem S., Romandic I., Theuwis A. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 753. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.035
  7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
  8. Инденбом В.Л., Житомирский И.С., Чебанова Т.С. // Кристаллография. 1973. Т. 18. Вып 1. C. 39.
  9. Smirnov Yu.M., Ivanova A.I., Kaplunov I.A. // Crystallography Reports. 2008. V. 53. № 7. P. 1133. https://doi.org/10.1134/S1063774508070067
  10. Woo S., Bertoni M., Choi K. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2016. V. 155. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2016.03.040
  11. Talanin V.I., Talanin I.E. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 552. P. 125928. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125928
  12. Murao Y., Taishi T., Tokumoto Y. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 11. P. 113502. https://doi.org/10.1063/1.3592226
  13. Шиманский А.Ф., Кравцова Е.Д., Кулаковская Т.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 285. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52112.9765
  14. Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Меженный М.В. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 13. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-13-17
  15. Смирнов Ю.М., Каплунов И.А., Колесников А.И. Способ выращивания монокристаллов германия: Патент РФ, № 2261296. 27.09.2005. Бюл. № 27.
  16. Nayfeh A., Chui C.O., Saraswat K.C., Yonehara T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 14. P. 2815. https://doi.org/10.1063/1.1802381
  17. Шевченко С.А. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. № 5. С. 543.
  18. Григорович А.П., Кулаковская Т.В., Шиманский А.Ф. и др. Тез докл. XXVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 29–31 мая 2024. С. 222. https://doi.org/10.51368/978-5-94836-696-8-2024-222
  19. CGSim package for analysis and optimization of Cz, LEC, VCz, and Bridgman growth of semiconductor and semitransparent crystals/STR. http://www.str-soft.com/products/CGSim/

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).