ВЛИЯНИЕ ПОСТРОСТОВОГО ОТЖИГА НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Изучено влияние постростового отжига на дислокационную структуру малодислокационных монокристаллов германия диаметром 100 мм, выращенных методом Чохральского. Отжиг проводился в изотермических условиях при температуре 700°С в течение 40 ч в тепловом узле ростовой установки после отрыва кристалла от расплава перед началом охлаждения. Установлено, что плотность дислокаций в кристаллах, полученных с применением постростового отжига, составляет от 14 до 105 см−2, что в среднем в 5 раз ниже, чем в кристаллах, полученных в идентичных условиях, но без отжига.

Об авторах

А. Ф Шиманский

Сибирский федеральный университет

Email: shimanaf@mail.ru
Красноярск, Россия

А. П Григорович

АО "ГЕРМАНИЙ"

Красноярск, Россия

И. А Каплунов

Тверской государственный университет

Тверь, Россия

Т. В Кулаковская

АО "ГЕРМАНИЙ"

Красноярск, Россия

Е. Д Кравцова

Сибирский федеральный университет

Красноярск, Россия

М. Н Васильева

Сибирский федеральный университет

Красноярск, Россия

Список литературы

  1. Dimroth F., Kurtz S. // MRS Bull. 2007. V. 32. P. 230. https://doi.org/10.1557/mrs2007.27
  2. Luque A., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2003. 1168 p.
  3. Claeys C.L., Simoen E. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices. 1st ed. Berlin: Elsevier, 2007. 449 p.
  4. Claeys C.L., Simoen E. Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects. Berlin: Springer, 2009. 297 p. https://doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6
  5. Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.002
  6. Kalem S., Romandic I., Theuwis A. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 753. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.035
  7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
  8. Инденбом В.Л., Житомирский И.С., Чебанова Т.С. // Кристаллография. 1973. Т. 18. Вып 1. C. 39.
  9. Smirnov Yu.M., Ivanova A.I., Kaplunov I.A. // Crystallography Reports. 2008. V. 53. № 7. P. 1133. https://doi.org/10.1134/S1063774508070067
  10. Woo S., Bertoni M., Choi K. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2016. V. 155. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2016.03.040
  11. Talanin V.I., Talanin I.E. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 552. P. 125928. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125928
  12. Murao Y., Taishi T., Tokumoto Y. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 11. P. 113502. https://doi.org/10.1063/1.3592226
  13. Шиманский А.Ф., Кравцова Е.Д., Кулаковская Т.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 285. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52112.9765
  14. Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Меженный М.В. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 13. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-13-17
  15. Смирнов Ю.М., Каплунов И.А., Колесников А.И. Способ выращивания монокристаллов германия: Патент РФ, № 2261296. 27.09.2005. Бюл. № 27.
  16. Nayfeh A., Chui C.O., Saraswat K.C., Yonehara T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 14. P. 2815. https://doi.org/10.1063/1.1802381
  17. Шевченко С.А. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. № 5. С. 543.
  18. Григорович А.П., Кулаковская Т.В., Шиманский А.Ф. и др. Тез докл. XXVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 29–31 мая 2024. С. 222. https://doi.org/10.51368/978-5-94836-696-8-2024-222
  19. CGSim package for analysis and optimization of Cz, LEC, VCz, and Bridgman growth of semiconductor and semitransparent crystals/STR. http://www.str-soft.com/products/CGSim/

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».