THE EFFECT OF POSTGROWTH ANNEALING ON THE DISLOCATION STRUCTURE OF GERMANIUM CRYSTALS

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The effect of postgrowth annealing on the dislocation structure of germanium low-dislocation-density single crystals 100 mm in diameter grown by the Czochralski method has been studied. The annealing was performed at 700°C for 40 h in the thermal unit of crystal puller before cooling. It was found that the dislocation density ranging from 14 to 105 cm−2 in crystals growing with postgrowth annealing. The average dislocation density in crystals growing without annealing is on five times more.

Авторлар туралы

A. Shimanskii

Siberian Federal University

Email: shimanaf@mail.ru
Krasnoyarsk, Russia

A. Grigorovich

JSC "GERMANIUM"

Krasnoyarsk, Russia

I. Kaplunov

Tver State University

Tver, Russia

T. Kulakovskaya

JSC "GERMANIUM"

Krasnoyarsk, Russia

E. Kravtsova

Siberian Federal University

Krasnoyarsk, Russia

M. Vasilyeva

Siberian Federal University

Krasnoyarsk, Russia

Әдебиет тізімі

  1. Dimroth F., Kurtz S. // MRS Bull. 2007. V. 32. P. 230. https://doi.org/10.1557/mrs2007.27
  2. Luque A., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2003. 1168 p.
  3. Claeys C.L., Simoen E. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices. 1st ed. Berlin: Elsevier, 2007. 449 p.
  4. Claeys C.L., Simoen E. Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects. Berlin: Springer, 2009. 297 p. https://doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6
  5. Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.002
  6. Kalem S., Romandic I., Theuwis A. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 753. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.035
  7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
  8. Инденбом В.Л., Житомирский И.С., Чебанова Т.С. // Кристаллография. 1973. Т. 18. Вып 1. C. 39.
  9. Smirnov Yu.M., Ivanova A.I., Kaplunov I.A. // Crystallography Reports. 2008. V. 53. № 7. P. 1133. https://doi.org/10.1134/S1063774508070067
  10. Woo S., Bertoni M., Choi K. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2016. V. 155. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2016.03.040
  11. Talanin V.I., Talanin I.E. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 552. P. 125928. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125928
  12. Murao Y., Taishi T., Tokumoto Y. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 11. P. 113502. https://doi.org/10.1063/1.3592226
  13. Шиманский А.Ф., Кравцова Е.Д., Кулаковская Т.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 285. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52112.9765
  14. Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Меженный М.В. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 13. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-13-17
  15. Смирнов Ю.М., Каплунов И.А., Колесников А.И. Способ выращивания монокристаллов германия: Патент РФ, № 2261296. 27.09.2005. Бюл. № 27.
  16. Nayfeh A., Chui C.O., Saraswat K.C., Yonehara T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 14. P. 2815. https://doi.org/10.1063/1.1802381
  17. Шевченко С.А. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. № 5. С. 543.
  18. Григорович А.П., Кулаковская Т.В., Шиманский А.Ф. и др. Тез докл. XXVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 29–31 мая 2024. С. 222. https://doi.org/10.51368/978-5-94836-696-8-2024-222
  19. CGSim package for analysis and optimization of Cz, LEC, VCz, and Bridgman growth of semiconductor and semitransparent crystals/STR. http://www.str-soft.com/products/CGSim/

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».