Investigation of Silicon Diodes in the Mode of Switching by an Impact-Ionization Wave

S. V. Korotkov; Yu. V. Aristov; V. B. Voronkov; D. A. Korotkov

doi:10.1134/S0020441218030211

Investigation of Silicon Diodes in the Mode of Switching by an Impact-Ionization Wave

Авторлар: Korotkov S.V.¹, Aristov Y.V.¹, Voronkov V.B.¹, Korotkov D.A.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Physical Technical Institute
Шығарылым: Том 61, № 4 (2018)
Беттер: 496-500
Бөлім: Electronics and Radio Engineering
URL: https://bakhtiniada.ru/0020-4412/article/view/160285
DOI: https://doi.org/10.1134/S0020441218030211
ID: 160285

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The results of investigations of silicon diodes in the mode of switching by nanosecond pulses, which initiate an impact-ionization wave, are presented. It is shown that the switching process is significantly influenced by dislocations that are formed in the surface layers of diode structures during their manufacture.