Electrophysical and Physical-Chemical Properties of Ohmic Contacts to III-N Compounds

V. N. Brudnyi; M. D. Vilisova; L. É. Velikovskii; P. Е. Sim; P. A. Brudnyi

doi:10.1007/s11182-018-1555-7

Electrophysical and Physical-Chemical Properties of Ohmic Contacts to III-N Compounds

Авторы: Brudnyi V.N.¹, Vilisova M.D.¹, Velikovskii L.É.¹, Sim P.Е.¹, Brudnyi P.A.¹
Учреждения:
1. National Research Tomsk State University
Выпуск: Том 61, № 8 (2018)
Страницы: 1450-1456
Раздел: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/240867
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1555-7
ID: 240867

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Experimental data on studying ohmic contacts based on single-layer and multilayer metallizations on GaN and (In, Al, Ga)N solid solutions are analyzed. The contact resistance of the Ti/Al/Mo/Au and Ti/Al/Mo/W/Au metallizations on undoped GaN is studied. The dependences of the contact resistance on the GaN surface treatment before the metallization and on the metallization annealing regimes are investigated.