Electrical and Photoelectrical Characteristics of  с -Si/Porous–Si/CdS Heterojunctions

H. M. Mamedov; A. Kukevecz; Z. Konya; K. Kordas; S. I. Shah; V. U. Mamedov; Kh. M. Ahmedova; V. J. Mamedova; R. M. Rzaev; Sh. A. Shamilova; E. A. Khanmamedova; L. E. Agazade

doi:10.1007/s11182-018-1584-2

Electrical and Photoelectrical Characteristics of с-Si/Porous–Si/CdS Heterojunctions

Авторлар: Mamedov H.M.¹, Kukevecz A.², Konya Z.², Kordas K.³, Shah S.I.⁴, Mamedov V.U.¹, Ahmedova K.M.¹, Mamedova V.J.¹, Rzaev R.M.⁵, Shamilova S.A.¹, Khanmamedova E.A.¹, Agazade L.E.¹
Мекемелер:
1. Baku State University
2. University of Szeged
3. University of Oulu
4. University of Delaware
5. Azerbaijan State University of Economics
Шығарылым: Том 61, № 9 (2019)
Беттер: 1660-1666
Бөлім: Physics of Semiconductors and Dielectrics
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/240975
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1584-2
ID: 240975

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Depending on the sizes of the CdS crystallites and silicon pores, electrical and photoelectrical characteristics of c-Si/porous–Si/CdS heterojunctions prepared by electrochemical deposition and anodization, respectively, are studied. The optimal pore size (10–16 nm) is determined, which provides the maximum photoelectric conversion efficiency (7.71%) of heterojunctions.