Radiation Resistance of (HgSe) 3 (In 2 Se 3 )&lt;Mn&gt;

I. P. Koziarskyi; V. T. Maslyuk; P. D. Maryanchuk; E. V. Maistruk; D. P. Koziarskyi; I. G. Megela; G. V. Lashkarev

doi:10.1007/s11182-018-1516-1

Radiation Resistance of (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn>

Авторы: Koziarskyi I.P.¹, Maslyuk V.T.², Maryanchuk P.D.¹, Maistruk E.V.¹, Koziarskyi D.P.¹, Megela I.G.², Lashkarev G.V.³
Учреждения:
1. Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University
2. Institute of Electron Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
3. Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine
Выпуск: Том 61, № 7 (2018)
Страницы: 1189-1193
Раздел: Physics of Semiconductors and Dielectrics
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/240726
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1516-1
ID: 240726

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

We present the results of studies of the effect of electron irradiation on the electrophysical parameters of (HgSe)₃(In₂Se₃) crystals, which are semimagnetic semiconductors with stoichiometric vacancies. It is shown that irradiation of (HgSe)₃(In₂Se₃) with high-energy electrons (E_e = 10 MeV, dose D = 10¹⁶ cm^–2) has little effect on the electrophysical and magnetic properties, which indicates their high radiation resistance.