Resistive switching in Au/SiO  x  /TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film

A. I. Belov; A. N. Mikhaylov; D. S. Korolev; V. A. Sergeev; I. N. Antonov; O. N. Gorshkov; D. I. Tetelbaum

doi:10.1134/S1063785016050199

Resistive switching in Au/SiO_x/TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film

Авторы: Belov A.I.¹, Mikhaylov A.N.¹, Korolev D.S.¹, Sergeev V.A.¹, Antonov I.N.¹, Gorshkov O.N.¹, Tetelbaum D.I.¹
Учреждения:
1. Lobachevsky University
Выпуск: Том 42, № 5 (2016)
Страницы: 505-508
Раздел: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/199114
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050199
ID: 199114

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

We have studied Au/SiO_x/TiN/Ti memristive structures obtained by magnetron sputtering, which exhibit a reproducible resistive switching effect. The influence of the thickness and stoichiometry of SiO_x layer and the area of Au electrode on the parameters of switching has been analyzed. The obtained results show evidence in favor of the filament model of resistive switching in SiO_x films.