A random telegraph signal in tunneling silicon  p – n  junctions with GeSi nanoislands

D. O. Filatov; I. A. Kazantseva; V. G. Shengurov; V. Yu. Chalkov; S. A. Denisov; N. A. Alyabina

doi:10.1134/S1063785016040180

A random telegraph signal in tunneling silicon p–n junctions with GeSi nanoislands

Autores: Filatov D.O.¹, Kazantseva I.A.¹, Shengurov V.G.¹, Chalkov V.Y.¹, Denisov S.A.¹, Alyabina N.A.¹
Afiliações:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
Edição: Volume 42, Nº 4 (2016)
Páginas: 435-437
Seção: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/198874
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016040180
ID: 198874

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We have experimentally discovered random telegraph signal generation in tunneling silicon p⁺–n⁺ junctions with embedded self-assembled GeSi nanoislands. The observed phenomenon is related to blocking of the electron tunneling via individual GeSi nanoislands due to the generation of holes in, and their thermal emission from, the nanoislands.