A random telegraph signal in tunneling silicon  p – n  junctions with GeSi nanoislands

D. O. Filatov; I. A. Kazantseva; V. G. Shengurov; V. Yu. Chalkov; S. A. Denisov; N. A. Alyabina

doi:10.1134/S1063785016040180

A random telegraph signal in tunneling silicon p–n junctions with GeSi nanoislands

Авторы: Filatov D.O.¹, Kazantseva I.A.¹, Shengurov V.G.¹, Chalkov V.Y.¹, Denisov S.A.¹, Alyabina N.A.¹
Учреждения:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
Выпуск: Том 42, № 4 (2016)
Страницы: 435-437
Раздел: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/198874
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016040180
ID: 198874

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

We have experimentally discovered random telegraph signal generation in tunneling silicon p⁺–n⁺ junctions with embedded self-assembled GeSi nanoislands. The observed phenomenon is related to blocking of the electron tunneling via individual GeSi nanoislands due to the generation of holes in, and their thermal emission from, the nanoislands.