Quantum Yield of a Silicon XUV Avalanche Photodiode in the 320–1100 nm Wavelength Range

V. V. Zabrodskii; P. N. Aruev; B. Ya. Ber; D. Yu. Kazantsev; A. N. Gorokhov; A. V. Nikolaev; V. V. Filimonov; M. Z. Shvarts; E. V. Sherstnev

doi:10.1134/S1063785019120289

Quantum Yield of a Silicon XUV Avalanche Photodiode in the 320–1100 nm Wavelength Range

Autores: Zabrodskii V.V.¹, Aruev P.N.¹, Ber B.Y.¹, Kazantsev D.Y.¹, Gorokhov A.N.¹, Nikolaev A.V.¹, Filimonov V.V.¹, Shvarts M.Z.¹, Sherstnev E.V.¹
Afiliações:
1. Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences
Edição: Volume 45, Nº 12 (2019)
Páginas: 1226-1229
Seção: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/208508
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019120289
ID: 208508

Citar

Texto integral

Acesso aberto
Acesso é fechado

Acesso está concedido
Acesso é fechado

Somente assinantes

Resumo
Sobre autores
Bibliografia
Arquivos suplementares
Estatísticas

Resumo

Quantum photoresponse yield of a silicon XUV avalanche photodiode prototype with 1.5‑mm-diameter active region has been studied in the 320–1100 nm wavelength range. It is established that the proposed avalanche photodiode has the external quantum efficiency above 20 electron/photon in the 580–1000 nm range at a reverse bias voltage of 485 V.