Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation


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Resumo

The generation of high-voltage electrical pulses by generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diode is demonstrated. It is shown that the electron drift velocity saturation influences the shape of output pulses.

Sobre autores

P. Ivanov

Ioffe Physical Technical Institute

Autor responsável pela correspondência
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Rússia, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

I. Grekhov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Rússia, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

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