Solid State Electronics

Выпуск Название Файл
Том 64, № 12 (2019) Formation of Low-Resistivity Au/Mo/Ti Ohmic Contacts to p-Diamond Epitaxial Layers PDF
(Eng)
Drozdov M., Demidov E., Drozdov Y., Kraev S., Shashkin V., Arkhipova E., Lobaev M., Vikharev A., Gorbachev A., Radishchev D., Isaev V., Bogdanov S.
Том 64, № 10 (2019) Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs Thin Films PDF
(Eng)
Umirzakov B., Donaev S., Mustafaeva N.
Том 64, № 8 (2019) Comparative Characteristic Analysis of Thermophotovoltaic p-InAsSbP/n-InAs Converters Irradiated on p- and n-Sides PDF
(Eng)
Matveev B., Ratushnyi V., Rybal’chenko A.
Том 64, № 7 (2019) Anomalous Behavior of Lateral CV Characteristic of an MNOS Transistor with an Embedded Local Charge in the Nitride Layer PDF
(Eng)
Atamuratova Z., Yusupov A., Khalikberdiev B., Atamuratov A.
Том 64, № 7 (2019) A Lightweight Flexible Solar Cell Based on a Heteroepitaxial InGaP/GaAs Structure PDF
(Eng)
Putyato M., Valisheva N., Petrushkov M., Preobrazhenskii V., Chistokhin I., Semyagin B., Emel’yanov E., Vasev A., Skachkov A., Yurko G., Nesterenko I.
Том 64, № 6 (2019) Mechanisms of Current Transport and Resistive Switching in Capacitors with Yttria-Stabilized Hafnia Layers PDF
(Eng)
Tikhov S., Gorshkov O., Belov A., Antonov I., Morozov A., Koryazhkina M., Mikhaylov A.
Том 64, № 5 (2019) Current Transmission Mechanisms in the Semiconductor Structure of a Photoelectric Transducer with an n+p Junction and an Antireflection Porous Silicon Film Formed by Color Etching PDF
(Eng)
Tregulov V., Litvinov V., Ermachikhin A.
Том 64, № 4 (2019) The Investigation of Critical Temperature Tc of Homophase Superconductors Bi1.7Pb0.3Sr2Ca(n– 1)CunOy (n = 3, 4, 5) and Current–Voltage Characteristics of InP Semiconductor–Bi/Pb Superconductor (2223, 2234, 2245) Sandwich Pairs PDF
(Eng)
Gulamova D., Karimov A., Chigvinadze D., Ashimov S., Magradze O., Bobokulov S., Turdiev Z., Bakhronov K.
Том 64, № 4 (2019) Evaluation of the Thermodynamic Efficiency of Solid-State Coolers and Generators Based on the Multicaloric Effect PDF
(Eng)
Starkov A., Pakhomov O., Rodionov V., Amirov A., Starkov I.
Том 64, № 4 (2019) Conductivity Inversion in Thin n-InSe Films under Laser Irradiation PDF
(Eng)
Kyazym-zade A., Salmanov V., Guseinov A., Mamedov R., Agamaliev Z., Salmanova A., Akhmedova F.
Том 64, № 3 (2019) IR Photodetectors Based on Isoperiodic Epitaxial Layers of Lead Tin Chalcogenides PDF
(Eng)
Tsarenko O., Tkachuk A., Ryabets S.
Том 64, № 3 (2019) Numerical and Experimental Study of an Optimized p-SOS Diode PDF
(Eng)
Lyublinsky A., Belyakova E., Grekhov I.
Том 64, № 2 (2019) Thermal Surface Interface for High-Power Arsenide–Gallium Heterostructure FETs PDF
(Eng)
Pashkovskii A., Kulikova I., Lapin V., Lukashin V., Pristupchik N., Manchenko L., Kalina V., Lopin M., Zakurdaev A.
Том 64, № 2 (2019) Simulation of a Detector of Visible and Near-IR Electromagnetic Radiation Based on Artificial Diamond PDF
(Eng)
Kukushkin V.
Том 64, № 2 (2019) The Morphology and Electronic Properties of Si Nanoscale Structures on a CaF2 Surface PDF
(Eng)
Umirzakov B., Ashurov R., Donaev S.
Том 63, № 12 (2018) Features of the Frequency Dependence of Capacitance–Voltage Characteristics of a Semiconductor Structure of a Photoelectric Converter Based on a pn Junction with an Antireflective Film of Porous Silicon PDF
(Eng)
Tregulov V.
Том 63, № 12 (2018) Structure and Properties of a Bilayer Nanodimensional CoSi2/Si/CoSi2/Si System Obtained by Ion Implantation PDF
(Eng)
Ergashov Y., Umirzakov B.
Том 63, № 11 (2018) Thermal-Conductive Boards Based on Aluminum with an Al2O3 Nanostructured Layer for Products of Power Electronics PDF
(Eng)
Muratova E., Moshnikov V., Luchinin V., Bobkov A., Vrublevsky I., Chernyakova K., Terukov E.
Том 63, № 11 (2018) Influence of the Silicon Dioxide Layer Thickness on Electroforming in Open TiN–SiO2–W Sandwiches PDF
(Eng)
Mordvintsev V., Kudryavtsev S., Levin V.
Том 63, № 10 (2018) Theoretical Analysis of the Effect of dU/dt in 4H–SiC Thyristor Structures PDF
(Eng)
Yurkov S., Mnatsakanov T., Tandoev A.
Том 63, № 8 (2018) Influence of the Ohmic Contact Structure on the Performance of GaAs/AlGaAs Photovoltaic Converters PDF
(Eng)
Malevskaya A., Kalinovskii V., Il’inskaya N., Malevskii D., Kontrosh E., Shvarts M., Andreev V.
Том 63, № 7 (2018) Stratification of Bi0.5Sb1.5Te3 Single Crystals and Sintering of the Obtained Micro- and Nanoscale Plates PDF
(Eng)
Petrova N., Danilov V., Boikov Y., Kuznetsova V., Novikov S.
Том 63, № 6 (2018) Combined Technology Fabrication of Spin-Valve Magnetoresistive Elements and Micromagnets PDF
(Eng)
Amelichev V., Belyakov P., Kostyuk D., Vasil’ev D., Orlov E., Kazakov Y., Kasatkin S., Krikunov A.
Том 63, № 3 (2018) Specifics of the Electrical Properties of Composite Solid Oxide Membranes Based on SrTi0.5Fe0.5O3–δ PDF
(Eng)
Sal’nikov V., Pikalova E., Kol’chugin A., Nikolaenko I.
Том 63, № 2 (2018) Relation of Giant Thermo-EMF, Magnetothermo-EMF, Magnetoresistance, and Magnetization to Magnetic Impurity States in Manganites Nd(1–x)SrxMnO3 and Sm(1–x)SrxMnO3 PDF
(Eng)
Koroleva L., Batashev I., Morozov A., Balbashov A., Szymczak H., Slawska-Waniew A.
1 - 25 из 49 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».