Effective Charge in LiNbO3 Films Fabricated by Radio-Frequency Magnetron Sputtering Method


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Amorphous Li–Nb–O films were deposited onto Si substrates by radio-frequency magnetron sputtering method. The fabricated heterostructures demonstrated the presence of effective oxide charge Qeff having both negative and positive components. Thermal annealing (TA) of as-grown heterostructures leads to the crystallization of a Li–Nb–O system with the formation of LiNbO3 films. The Qeff changes with TA, reaching a minimum at the annealing temperature of about 470°C, corresponding to the entire film’s crystallization.

Авторлар туралы

M. Sumets

Voronezh State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

E. Belonogov

Voronezh State Technical University

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

V. Dybov

Voronezh State Technical University

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

D. Serikov

Voronezh State Technical University

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

A. Kostyuchenko

Voronezh State Technical University

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

V. Ievlev

Voronezh State University; Moscow State University

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh; Moscow

G. Kotov

Voronezh State University of Engineering Technologies

Email: maxsumets@gmail.com
Ресей, Voronezh

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019