Іздеу

Шығарылым
Атауы
Авторлар
Том 61, № 12 (2019)
Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates
Mizerov A., Kukushkin S., Sharofidinov S., Osipov A., Timoshnev S., Shubina K., Berezovskaya T., Mokhov D., Buravlev A.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
Effect of Solid-State Epitaxial Recrystallization on Defect Density in Ultrathin Silicon-on-Sapphire Layers
Fedotov S., Statsenko V., Egorov N., Golubkov S.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
Rodin S., Lundin W., Tsatsulnikov A., Sakharov A., Usov S., Mitrofanov M., Levitskii I., Evtikhiev V., Kaliteevski M.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
Forming the GaN Nanocrystals on the Graphene-Like g-AlN and g-Si3N3 Surface
Kozhukhov A., Aleksandrov I., Rzheutski N., Lebiadok E., Razumets E., Zhuravlev K., Milakhin D., Malin T., Mansurov V., Galitsyn Y.
PDF
(Eng)
Том 61, № 10 (2019)
InAs(1 – y)Sby/InAsSbP Narrow-Gap Heterostructures (y = 0.09–0.16) Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for the Spectral Range of 4–6 μm
Romanov V., Ivanov E., Moiseev K.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
Effect of Elastic Stresses on the Formation of Axial Heterojunctions in Ternary AIIIBV Nanowires
Koryakin A., Leshchenko E., Dubrovskii V.
PDF
(Eng)
Том 60, № 11 (2018)
Detectors of Circularly Polarized Radiation Based on Semiconductor Heterostructures with a CoPt Schottky Barrier
Kudrin A., Zdoroveyshchev A., Vikhrova O., Dorokhin M., Kalent’eva I., Demina P.
PDF
(Eng)
Том 58, № 5 (2016)
Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate
Kukushkin S., Osipov A., Sergeeva O., Kiselev D., Bogomolov A., Solnyshkin A., Kaptelov E., Senkevich S., Pronin I.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
A New Method of Growing AlN, GaN, and AlGaN Bulk Crystals Using Hybrid SiC/Si Substrates
Kukushkin S., Sharofidinov S.
PDF
(Eng)
Том 58, № 4 (2016)
Electrophysical properties of CdxHg1–xTe (x = 0.3) films grown by molecular beam epitaxy on Si(013) substrates
Varavin V., Marin D., Yakushev M.
PDF
(Eng)
Том 61, № 12 (2019)
Mechanism of Diffusion of Carbon and Silicon Monooxides in a Cubic Silicon Carbide Crystal
Kukushkin S., Osipov A.
PDF
(Eng)
Нәтижелер 11 - 1/11
Сыбырсөздер:
  • Негізгі сөздер тіркелімге сезімтал< / li>
  • Ағылшын предлогтары мен одақтары еленбейді
  • Әдепкі бойынша іздеу барлық негізгі сөздер үшін жасалады (агенс AND экспериенцер)
  • Белгілі бір терминді табу үшін OR қолданыңыз. білім беру OR оқыту
  • мысалы, күрделі сөз тіркестерін жасау үшін жақшаларды қолданыңыз. мұрағат ((журналдар OR конференциялар) NOT диссертациялар)
  • Нақты фразаны табу үшін, мысалы, тырнақшаларды қолданыңыз. "ғылыми зерттеулер"
  • сөзді - (сызықша) немесе not операторының көмегімен алып тастаңыз; мысалы. сұлулық байқауы< / em > немесе сұлулық байқауы< / em > < / li>
  • мысалы, нұсқа ретінде * қолданыңыз. ғылым* "ғылыми","ғылыми"және т. б. сөздерді қамтиды< / li> < / < / к-сі>