The Effect of Synthesis Temperature on the Microstructure and Electrophysical Properties of BST 80/20 Films


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

In this paper, we show the effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 films during the formation on silicon substrates with a platinum sublayer. Based on our measurements, we conclude that temperature of synthesis of ferroelectric films affects their electrophysical and topographical properties.

Об авторах

D. Kiselev

Fryazino Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences; National University of Science and Technology MISiS

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, 141190; Moscow, 119049

S. Levashov

Fryazino Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, 141190

A. Sivov

Fryazino Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, 141190

G. Chucheva

Fryazino Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, 141190

M. Afanasiev

Fryazino Branch of Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Fryazino, 141190

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).