Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials

B. N. Zvonkov; N. V. Baidus; S. M. Nekorkin; O. V. Vikhrova; A. V. Zdoroveyshev; A. V. Kudrin; V. E. Kotomina

doi:10.1134/S1063782617110306

Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials

Авторлар: Zvonkov B.N.¹, Baidus N.V.¹, Nekorkin S.M.¹, Vikhrova O.V.¹, Zdoroveyshev A.V.¹, Kudrin A.V.¹, Kotomina V.E.¹
Мекемелер:
1. Physico-Technical Research Institute of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
Шығарылым: Том 51, № 11 (2017)
Беттер: 1391-1394
Бөлім: XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/201450
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110306
ID: 201450

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The possibility of creating thyristor structures with external optical control by laser radiation with a wavelength of ~800 nm, based on single-crystal wafers of semi-insulating GaAs and layers of InGaP with the lattice parameter compatible with GaAs, is shown.