Investigation of the Dielectric Permittivity and Electrical Conductivity of Ce2S3


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The rare-earth semiconductor β-Ce2S3 compound samples were synthesized and their dielectric permittivity and electrical conductivity were measured in the temperature range 90–400 K. The energy-band structure has been determined. It is shown that the long-known large electrical parameter spread of semiconductor compounds close in composition to Ce2S3 is explained by the structure of impurity donor levels formed by cerium atoms and ions with different ionization degrees.

Авторлар туралы

V. Zalessky

Ioffe Institute

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

V. Kaminski

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Hirai

Muroran Institute of Technology

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Жапония, Muroran, Hokkaido, 050-8585

Y. Kubota

Muroran Institute of Technology

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Жапония, Muroran, Hokkaido, 050-8585

N. Sharenkova

Ioffe Institute

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018