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Volume 50, Nº 2 (2016)
Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon
Kryuchenko Y., Kostylyov V., Sokolovskyi I., Abramov A., Bobyl A., Panaiotti I., Terukov E., Sachenko A.
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Volume 53, Nº 9 (2019)
Hyperfine Interaction and Shockley–Read–Hall Recombination in Semiconductors
Ivchenko E., Kalevich V., Kunold A., Balocchi A., Marie X., Amand T.
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(Eng)
Volume 51, Nº 13 (2017)
Simulating a Cell Based on a Three-Dimensional Heterojunction with Distributed Charge-Carrier Generation
Shulezhko V., Morozova E.
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(Eng)
Volume 53, Nº 9 (2019)
Study of the Auger Recombination Energy Threshold in a Series of Waveguide Heterostructures with HgTe/Cd0.7Hg0.3Te QWs Near 14 μm
Utochkin V., Aleshkin V., Dubinov A., Gavrilenko V., Kulikov N., Fadeev M., Rumyantsev V., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250–1400-nm spectral range
Egorov A., Karachinsky L., Novikov I., Babichev A., Nevedomskiy V., Bugrov V.
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(Eng)
Volume 53, Nº 8 (2019)
Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation
Blokhin S., Kulagina M., Guseva Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mozharov A., Zubov F., Maximov M., Zhukov A., Moiseev E., Kryzhanovskaya N.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells
Sachenko A., Skrebtii A., Korkishko R., Kostylyov V., Kulish N., Sokolovskyi I.
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(Eng)
Volume 53, Nº 8 (2019)
Dependence of the Spontaneous Luminescence Intensity in ZnO Nanorods on their Length
Gruzintsev A., Redkin A., Yakimov E.
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(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Patterns of Variation in the External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green LEDs during Accelerated Tests
Sergeev V., Frolov I., Shirokov A., Radaev O.
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(Eng)
Volume 52, Nº 11 (2018)
Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
Rumyantsev V., Kulikov N., Kadykov A., Fadeev M., Ikonnikov A., Kazakov A., Zholudev M., Aleshkin V., Utochkin V., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S., Gavrilenko V.
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures
Muratov T.
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(Eng)
Volume 52, Nº 10 (2018)
Luminescence and Stimulated Emission of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 Films Deposited by Magnetron-Assisted Sputtering
Svitsiankou I., Pavlovskii V., Lutsenko E., Yablonskii G., Shiripov V., Khokhlov E., Mudryi A., Zhivulko V., Borodavchenko O., Yakushev M.
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(Eng)
Volume 53, Nº 10 (2019)
Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
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(Eng)
Volume 52, Nº 9 (2018)
On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures
Kolodeznyi E., Kurochkin A., Rochas S., Babichev A., Novikov I., Gladyshev A., Karachinsky L., Savelyev A., Egorov A., Denisov D.
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