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Volume 52, Nº 12 (2018)
Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111)
Mansurov V., Galitsyn Y., Malin T., Teys S., Fedosenko E., Kozhukhov A., Zhuravlev K., Cora I., Pécz B.
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Volume 50, Nº 13 (2016)
Improving the functional characteristics of gallium nitride during vapor phase epitaxy
Vigdorovich E.
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(Eng)
Volume 50, Nº 5 (2016)
On the laser detachment of n-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in n+-GaN substrates
Virko M., Kogotkov V., Leonidov A., Voronenkov V., Rebane Y., Zubrilov A., Gorbunov R., Latyshev P., Bochkareva N., Lelikov Y., Tarhin D., Smirnov A., Davydov V., Shreter Y.
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(Eng)
Volume 52, Nº 15 (2018)
Quantum Efficiency of Gallium Nitride–Based Heterostructures with GaInN Quantum Wells
Vigdorovich E.
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(Eng)
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