Surfaces, Interfaces, and Thin Films

Выпуск Название Файл
Том 51, № 12 (2017) Effect of high voltage electric field on structure and property of PEDOT:PSS film PDF
(Eng)
Zhang J., Liu J.
Том 51, № 12 (2017) A comparative study on the electronic and optical properties of Sb2Se3 thin film PDF
(Eng)
Kamruzzaman M., Liu C., Farid Ul Islam A., Zapien J.
Том 51, № 10 (2017) Interdiffusion and phase formation in the Fe–TiO2 thin-film system PDF
(Eng)
Afonin N., Logacheva V.
Том 51, № 9 (2017) Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures PDF
(Eng)
Goldman E., Levashov S., Naryshkina V., Chucheva G.
Том 51, № 8 (2017) Effect of free charge carriers on birefringence and dichroism in anisotropic porous silicon layers PDF
(Eng)
Sekerbayev K., Taurbayev Y., Efimova A., Timoshenko V., Taurbayev T.
Том 51, № 5 (2017) Modification of the surface of GaAs and observation of surface enhanced Raman scattering after the diffusion of indium PDF
(Eng)
Vlasov A., Karlina L., Komissarenko F., Ankudinov A.
Том 51, № 5 (2017) Morphology, optical, and adsorption properties of copper-oxide layers deposited from complex compound solutions PDF
(Eng)
Matyushkin L., Reshetnikova A., Andronov A., Afonicheva P., Myakin S., Permiakov N., Moshnikov V.
Том 51, № 4 (2017) Modification of the thermal relaxation kinetics of the photoinduced (at T = 425 K) metastable dark conductivity of a-Si:H films by weak illumination during the initial stage of relaxation PDF
(Eng)
Kurova I., Ormont N.
Том 51, № 4 (2017) Reversible electrochemical modification of the surface of a semiconductor by an atomic-force microscope probe PDF
(Eng)
Kozhukhov A., Sheglov D., Latyshev A.
Том 51, № 2 (2017) Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching PDF
(Eng)
Pyatilova O., Gavrilov S., Shilyaeva Y., Pavlov A., Shaman Y., Dudin A.
Том 51, № 2 (2017) Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen PDF
(Eng)
Privezentsev V., Kirilenko E., Goryachev A., Batrakov A.
Том 51, № 2 (2017) Study of the deposition features of the organic dye Rhodamine B on the porous surface of silicon with different pore sizes PDF
(Eng)
Lenshin A., Seredin P., Kavetskaya I., Minakov D., Kashkarov V.
Том 51, № 1 (2017) Atomic and electronic structure of the CdTe(111)B–(2√3 × 4) orthogonal surface PDF
(Eng)
Bekenev V., Zubkova S.
Том 51, № 1 (2017) On the growth, structure, and surface morphology of epitaxial CdTe films PDF
(Eng)
Nuriyev I., Mehrabova M., Nazarov A., Sadigov R., Hasanov N.
Том 50, № 10 (2016) The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4° layer and Cs/SiC/Si(111)-4° interface PDF
(Eng)
Benemanskaya G., Dementev P., Kukushkin S., Lapushkin M., Osipov A., Senkovskiy B.
Том 50, № 9 (2016) Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2–Si structures PDF
(Eng)
Kalygina V., Egorova I., Novikov V., Prudaev I., Tolbanov O.
Том 50, № 8 (2016) Study of the impurity photoconductivity in p-InSb using epitaxial p+ contacts PDF
(Eng)
Eminov S.
Том 50, № 8 (2016) Electrical, optical, and photoluminescence properties of ZnO films subjected to thermal annealing and treatment in hydrogen plasma PDF
(Eng)
Abdullin K., Gabdullin M., Gritsenko L., Ismailov D., Kalkozova Z., Kumekov S., Mukash Z., Sazonov A., Terukov E.
Том 50, № 7 (2016) Indium nanowires at the silicon surface PDF
(Eng)
Kozhukhov A., Sheglov D., Latyshev A.
Том 50, № 7 (2016) Local emission spectroscopy of surface micrograins in AIIIBV semiconductors PDF
(Eng)
Zhukov N., Gluhovskoy E., Mosiyash D.
Том 50, № 6 (2016) On the local injection of emitted electrons into micrograins on the surface of AIII–BV semiconductors PDF
(Eng)
Zhukov N., Glukhovskoi E., Khazanov A.
Том 50, № 5 (2016) Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase PDF
(Eng)
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A., Lyaskovskii V., Rybin N., Rybina N., Forsh P.
Том 50, № 5 (2016) Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation PDF
(Eng)
Sitnikov S., Latyshev A., Kosolobov S.
Том 50, № 4 (2016) Induced surface states of the ultrathin Ba/3C-SiC(111) interface PDF
(Eng)
Benemanskaya G., Dementev P., Kukushkin S., Lapushkin M., Senkovskiy B., Timoshnev S.
Том 50, № 3 (2016) Deep Centers at the Interface in In2xGa2(1–x)Te3/InAs and In2Te3/InAs Heterostructures PDF
(Eng)
Domashevskaya E., Mikhailyuk E., Prokopova T., Bezryadin N.
51 - 75 из 83 результатов << < 1 2 3 4 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».