Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018

Выпуск Название Файл
Том 52, № 12 (2018) Production of Si- and Ge-Based Thermoelectric Materials by Spark Plasma Sintering PDF
(Eng)
Erofeeva I., Dorokhin M., Zdoroveyshchev A., Kuznetsov Y., Popov A., Lantsev E., Boryakov A., Kotomina V.
Том 52, № 12 (2018) Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates PDF
(Eng)
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
Том 52, № 12 (2018) Solar Cell Based on Core/Shell Nanowires PDF
(Eng)
Sibirev N., Kotlyar K., Koryakin A., Shtrom I., Ubiivovk E., Soshnikov I., Reznik R., Bouravleuv A., Cirlin G.
Том 52, № 12 (2018) On the Intracenter Relaxation of Shallow Arsenic Donors in Stressed Germanium. Population Inversion under Optical Excitation PDF
(Eng)
Tsyplenkov V., Shastin V.
Том 52, № 12 (2018) Singularity of the Density of States and Transport Anisotropy in a Two-Dimensional Electron Gas with Spin-Orbit Interaction in an In-Plane Magnetic Field PDF
(Eng)
Sablikov V., Tkach Y.
Том 52, № 12 (2018) Bipolar Persistent Photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) Double Quantum-Well Heterostructures PDF
(Eng)
Spirin K., Gaponova D., Marem’yanin K., Rumyantsev V., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S.
Том 52, № 12 (2018) Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 μm and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductors PDF
(Eng)
Maremyanin K., Ikonnikov A., Bovkun L., Rumyantsev V., Chizhevskii E., Zasavitskii I., Gavrilenko V.
Том 52, № 12 (2018) Field Effect in PbSnTe:In Films with Low Conductivity in the Mode of Injection from Contacts and Space-Charge Limitation of the Current PDF
(Eng)
Akimov A., Klimov A., Epov V.
Том 52, № 12 (2018) Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111) PDF
(Eng)
Mansurov V., Galitsyn Y., Malin T., Teys S., Fedosenko E., Kozhukhov A., Zhuravlev K., Cora I., Pécz B.
Том 52, № 12 (2018) Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation PDF
(Eng)
Venediktov M., Dukov D., Krevskiy M., Metelkin I., Chukov G., Elesin V., Obolensky S., Bozhen’kina A., Tarasova E., Fefelov A.
Том 52, № 12 (2018) Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy PDF
(Eng)
Gorshkov A., Volkova N., Pavlov D., Usov Y., Istomin L., Levichev S.
Том 52, № 12 (2018) Features of the Initial Stage of GaN Growth on Si(111) Substrates by Nitrogen-Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy PDF
(Eng)
Mizerov A., Timoshnev S., Sobolev M., Nikitina E., Shubina K., Berezovskaia T., Shtrom I., Bouravleuv A.
Том 52, № 12 (2018) Electrical Tunability of Terahertz Amplification in a Periodic Plasmon Graphene Structure with Charge-Carrier Injection PDF
(Eng)
Polischuk O., Fateev D., Popov V.
Том 52, № 12 (2018) Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate PDF
(Eng)
Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Morozov A., Karakolis P., Dimitrakis P.
Том 52, № 12 (2018) On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates PDF
(Eng)
Baidus N., Yunin P., Shaleev M., Reunov D., Rykov A., Novikov A., Nekorkin S., Kudryavtsev K., Krasilnik Z., Dubinov A., Aleshkin V., Yurasov D.
Том 52, № 12 (2018) Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures PDF
(Eng)
Gudina S., Vasil’evskii I., Yakunin M., Shelushinina N., Podgornykh S., Savelyev A., Neverov V., Ilchenko E., Arapov Y., Vinichenko A.
Том 52, № 11 (2018) Magnetooptics of HgTe/CdTe Quantum Wells with Giant Rashba Splitting in Magnetic Fields up to 34 T PDF
(Eng)
Bovkun L., Maremyanin K., Ikonnikov A., Spirin K., Aleshkin V., Potemski M., Piot B., Orlita M., Mikhailov N., Dvoretskii S., Gavrilenko V.
Том 52, № 11 (2018) Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells PDF
(Eng)
Dobretsova A., Kvon Z., Braginskii L., Entin M., Mikhailov N.
Том 52, № 11 (2018) Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures PDF
(Eng)
Abramkin D., Bakarov A., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 52, № 11 (2018) Plasma Chemical Etching of Gallium Arsenide in C2F5Cl-Based Inductively Coupled Plasma PDF
(Eng)
Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M., Kraev S., Skorokhodov E., Shashkin V.
Том 52, № 11 (2018) The Effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures PDF
(Eng)
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Antonov I.
Том 52, № 11 (2018) Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation PDF
(Eng)
Khananova A., Obolensky S.
Том 52, № 11 (2018) “Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase PDF
(Eng)
Gudina S., Bogolyubskii A., Neverov V., Shelushinina N., Yakunin M.
Том 52, № 11 (2018) Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates PDF
(Eng)
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Shamirzaev T.
Том 52, № 11 (2018) Application of the Locally Nonequilibrium Diffusion-Drift Cattaneo–Vernotte Model to the Calculation of Photocurrent Relaxation in Diode Structures under Subpicosecond Pulses of Ionizing Radiation PDF
(Eng)
Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
1 - 25 из 42 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».