Bipolar Persistent Photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) Double Quantum-Well Heterostructures

K. E. Spirin; D. M. Gaponova; K. V. Marem’yanin; V. V. Rumyantsev; V. I. Gavrilenko; N. N. Mikhailov; S. A. Dvoretsky

doi:10.1134/S1063782618120230

Bipolar Persistent Photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) Double Quantum-Well Heterostructures

Авторлар: Spirin K.E.¹, Gaponova D.M.¹, Marem’yanin K.V.¹, Rumyantsev V.V.¹, Gavrilenko V.I.¹, Mikhailov N.N.², Dvoretsky S.A.²
Мекемелер:
1. Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences
2. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 52, № 12 (2018)
Беттер: 1586-1589
Бөлім: Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/204768
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120230
ID: 204768

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effects of the residual photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures are studied at T = 4.2 K. It is shown that the residual photoconductivity in this system has a bipolar character, i.e., both positive and negative persistent photoconductivity is present depending on the illumination wavelength.