FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy

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Resumo

Our study describes FIB technological aspects of preparing mask for GaN selective area epitaxy on Si3N4/GaN template.

Sobre autores

M. Mitrofanov

Ioffe Institute

Autor responsável pela correspondência
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 194021

I. Levitskii

Ioffe Institute

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 194021

G. Voznyuk

ITMO University

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, Saint Petersburg, 197101

E. Tatarinov

ITMO University

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, Saint Petersburg, 197101

S. Rodin

Ioffe Institute

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 194021

W. Lundin

Ioffe Institute

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 194021

V. Evtikhiev

Ioffe Institute

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 194021

M.N. Mizerov

SHM RE Center, RAS

Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Rússia, St. Petersburg

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