Research of Memristor Effect in Crossbar Architecture for Neuromorphic Artificial Intelligence Systems

V. V. Polyakova; Полякова В. В.; A. V. Saenko; Саенко А. В.; I. N. Kots; Коц И. Н.; A. V. Kovalev; Ковалев А. В.

doi:10.31857/S0544126924010069

Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта

Авторы: Полякова В.В.¹, Саенко А.В.¹, Коц И.Н.¹, Ковалев А.В.¹
Учреждения:
1. Южный федеральный университет
Выпуск: Том 53, № 1 (2024)
Страницы: 58-63
Раздел: ПРИБОРЫ
URL: https://bakhtiniada.ru/0544-1269/article/view/259587
DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126924010069
ID: 259587

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Полный текст
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

В данной статье представлены результаты экспериментальных исследований структур, сформированных на основе кроссбар-архитектуры мемристорных структур из различных материалов. В качестве рабочего мемристорного слоя был использован TiO₂. В качестве материала для контактных площадок были использованы: Al, Ni, Cr, Mo, Ta, Ag. В ходе проведения экспериментальных исследований было выявлено оптимальное сочетание материалов для формирования кроссбар мемристорных структур, которые в дальнейшем могут быть использованы в устройствах нейроморфных систем искусственного интеллекта.

Ключевые слова

мемристор, кроссбар-архитектура, нейроморфные системы, магнетронное напыление, атомно-силовая микроскопия

Полный текст

Список литературы

Пройдаков Э.М. Современное состояние исследований в области искусственного интеллекта // Цифровая экономика. 2018. Т. 3. № 3. С. 50–62.
Гафаров Ф.М. Искусственные нейронные сети и приложения. Казань: Казань, 2018.
Zidan M.A., Strachan J.P., Lu W.D. The future of electronics based on memristive systems // Nat. Electron. 2018. V. 1. P. 22.
Kozhukhov A.S., Scheglov D.V., Fedina L.I., Latyshev A.V. The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon AIP Advances 8, 025113 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5007914
Colangelo F., Piazza V., Coletti С., Roddaro S., Beltram F., Pingue P. Local anodic oxidation on hydrogen-intercalated graphene layers: oxide composition analysis and role of the silicon carbide substrate. 2 May 2018. https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa59c7.
Polyakova V.V., Saenko A.V. Local Anodic Oxidation for Crossbar-Array Architecture Technical Physics. 2022. V. 92. No. 8. Р. 1159–1165.
Розанов Р.Ю., Кондрашов В.А., Неволин В.К., Чаплыгин Ю.А. Разработка и исследование мемристоров на основе металлических пленок наноразмерной толщины // Наноинженерия. 2014. № 2. С. 22–28.
Choi B.J., Torrezan A.C., Norris K.J., Miao F. Electrical Performance and Scalability of Pt Dispersed SiO2 Nanometallic Resistance Switch // Nano Lett. 2013. № 13 (7). Р. 3213–3217.