Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В работе приведены результаты исследований вольт-фарадных характеристик GaAs/In0.53Ga0.47As HEMT до и после нейтронного облучения флюенсом (6.3 ± 1.3) × 1014 у. е. На основании экспериментально полученных характеристик проведены расчеты эффективных профилей распределения электронов исследуемой структуры до и после облучения. Проведен анализ влияния радиационных дефектов на δ-слои исследуемой структуры.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

О. Л. Голиков

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

Н. Е. Кодочигов

аНижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

С. В. Оболенский

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

А. С. Пузанов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

Е. А. Тарасова

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

C. В. Хазанова

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород

Список литературы

  1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
  2. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм // Физика и техника полупроводников. Т. 54. № 9. С. 968–973.
  3. Петровская А.Н., Зубков В.И. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 10. С. 1368–1373.
  4. Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 2. С. 281–286.
  5. Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В., Бобров Е.А., Темпер Э.М., Капилин С.А. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C–V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC HEMT // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47–55.
  6. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 1. С. 53–57.
  7. Яковлев Г.Е., Дорохин М.В., Зубков В.И., Дудин А.Л. и др. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 873–880.
  8. Солтанович О.А., Якимов Е.Б. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1597–1603.
  9. Lei W., Offer M., Lorke A. et al. Probing the band structure of InAs/GaAs quantum dots by capacitance-voltage and photoluminescence spectroscopy // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2008. V. 92. P. 193111-1–193111-3.
  10. Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В. и др. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT-структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 12. С. 1599–1604.
  11. Brounkov P.N., Benyattou T., Guillotb G. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single‐quantum‐well structure based on the self‐consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations // J. Appl. Phys. 80 (2), 15 July 1996.
  12. Оболенский С.В., Волкова Е.В., Логинов А.Б. и др. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 38–41.
  13. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука, 1969. 576 с.
  14. Кривулин Д.О., Пашенькин И.Ю., Горев Р.В., Юнин П.А., Сапожников M.В., Грунин А.В., Захарова С.А., Леонтьев В.Н. Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 93. № 7. С. 907–912.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Сток-затворные ВФХ исследуемой структуры GaAs/In0.53Ga0.47As: до облучения; после нейтронного облучения; ○ экспериментальные данные; ○ численный расчет

Скачать (132KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Результаты моделирования сток-затворных ВФХ исследуемой структуры GaAs/In0.53Ga0.47As для температуры 77 К: 1 — до облучения; 2 — после нейтронного облучения

Скачать (87KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Результаты моделирования зонной диаграммы исследуемой структуры GaAs/In0.53Ga0.47As: 1 — до облучения; 2 — после нейтронного облучения

Скачать (112KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Эффективный профиль концентрации исследуемой структуры GaAs/In0.53Ga0.47As: 1 — до облучения; 2 — после нейтронного облучения

Скачать (102KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».