Terahertz radiation sources based on AlGaAs/GaAs superlattices

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

We proposed several types of design of terahertz emitters based on the perfect AlGaAs/GaAs superlattices obtained by molecular-beam epitaxy. Transition energies, gain, and losses are calculated for the developed structures, which determined the design of the created experimental structures.

Sobre autores

A. Dashkov

Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences; St. Petersburg Electrotechnical University

Autor responsável pela correspondência
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 194021, St. Petersburg; Russia, 197376, St. Petersburg

L. Gerchikov

Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences; St. Petersburg Electrotechnical University

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 194021, St. Petersburg; Russia, 197376, St. Petersburg

L. Goray

Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences; St. Petersburg Electrotechnical University; Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences; University associated with IE EAEC

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 194021, St. Petersburg; Russia, 197376, St. Petersburg; Russia, 190103, St. Petersburg; Russia, 199106, St. Petersburg

N. Kharin

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 195251, St. Petersburg

M. Sobolev

Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences; St. Petersburg Electrotechnical University

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 194021, St. Petersburg; Russia, 197376, St. Petersburg

R. Khabibullin

Mokerov Institute of Ultra-high Frequency Semiconductor Electronics of the Russian Academy of Sciences

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 117105, Moscow

A. Bouravleuv

St. Petersburg Electrotechnical University; Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences; University associated with IE EAEC

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Russia, 197376, St. Petersburg; Russia, 190103, St. Petersburg; Russia, 199106, St. Petersburg

Bibliografia

  1. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. // ФТП. 1971. Т. 5. № 4. С. 797.
  2. Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. No. 1. P. 61.
  3. Bosco L., Franckie M., Scalari G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. Art. No. 010601.
  4. Leyman R., Bazieva N., Kruczek T. et al. // Recent Pat. Signal Process. 2012. V. 2. Art. No. 12.
  5. Mattsson M.O., Simkó M. // Med. Devices (Auckland, NZ). 2019. V. 12. P. 347.
  6. Banerjee A., Vajandar S., Basu T. Terahertz biomedical and healthcare technologies. Amsterdam: Elsevier, 2020. p. 225.
  7. Federici J.F., Schulkin B., Huang F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 7. Art. No. S266.
  8. Knipper R., Brahm A., Heinz E. et al. // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2015. V. 5. No. 6. P. 999.
  9. Piesiewicz R., Jacob M., Koch M. et al. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2008. V. 14. No. 2. P. 421.
  10. Niu Z., Zhang B., Wang J. et al. // China Commun. 2020. V. 17. No. 3. P.131.
  11. Khalatpour A., Paulsen A.K., Deimert C. et al. // Nature. Photon. 2021. V. 15. No. 1. P. 16.
  12. Lu Q., Razeghi M. // Photonics. 2016. V. 3. No. 3. P. 42.
  13. Vitiello M.S., Tredicucci A. // Adv. Phys.-X. 2021. V. 6. No. 1. Art. No. 1893809.
  14. Köhler R., Tredicucci A., Beltram F. et al. // Nature. 2002. V. 417. No. 6885. P. 156.
  15. Wannier G.H. // Phys. Rev. 1960. V. 117. No. 2. P. 432.
  16. Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. № 2. С. 128; Altukhov I.V., Dizhur S.E., Kagan M.S. et al. // JETP Lett. 2016. V. 103. No. 2. P. 122.
  17. Kagan M.S., Altukhov I.V., Paprotskiy S.K. et al. // Lith. J. Phys. 2014. V. 54. No. 1. P. 50.
  18. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 102. № 4. С. 235; Andronov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // JETP Lett. 2015. V. 102. No. 4. P. 207.
  19. Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // ФTП. 2018. T. 52. № 4. C. 463; Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // Semiconductors. 2018. V. 52. No. 4. P. 431.
  20. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Квант. электрон. 2010. Т. 40. № 5. С. 400; Andro-nov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // Quantum Electron. 2010. V. 40. No. 5. P. 400.
  21. Jirauschek C. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. No. 9. P. 1059.
  22. Kane E.O. Handbook on semiconductors. Amsterdam: Elsevier. 1982. P. 193.
  23. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 11. P. 5815.
  24. Williams B.S. // Nature Photonics. 2007. V. 1. No. 9. P. 517.
  25. Kohen S., Williams B.S., Hu Q. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. No. 5. Art. No. 053106.
  26. Dashkov A.S., Goray L.I. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1410. Art. No. 012085.
  27. Jirauschek C., Kubis T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. No. 1. Art. No. 011307.
  28. Dashkov A.S., Goray L.I. // Semiconductors. 2020. V. 54. No. 14. P. 1823.
  29. Sirtori C., Capasso F., Faist J., Scandolo S. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. No. 12. P. 8663.
  30. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Соболев М.С. и др. // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 11. С. 1906; Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Tech. Phys. 2020. V. 65. No. 11. P.1822.
  31. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Свечников М.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 15. С. 7; Goray L.I., Pirogov E.V., Svechnikov M.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 10. P. 757.
  32. Goray L.I., Pirogov E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1914.
  33. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // J. Physics D. 2020. V. 53. No. 45. Art. No. 455103.
  34. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1910.
  35. Beere H.E., Fowler J.C., Alton J. et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 278. No. 1. P. 756.
  36. Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д. // ЖЭТФ. 2021. Т. 160. № 2. С. 197; Gerchikov L.G., Dashkov A.S., Goray L.I., Bouravleuv A.D. // JETP. 2021. V. 133. No. 2. P. 161.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2.

Baixar (111KB)
Metadados
3.

Baixar (177KB)
Metadados
4.

Baixar (63KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © А.С. Дашков, Л.Г. Герчиков, Л.И. Горай, Н.Ю. Харин, М.С. Соболев, Р.А. Хабибуллин, А.Д. Буравлев, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».