Отправить статью по E-mail 
Терагерцевые источники излучения на сверхрешетках AlGaAs/GaAs
- Авторы: Дашков А.С.1,2, Герчиков Л.Г.1,3, Горай Л.И.1,2,4,5, Харин Н.Ю.3, Соболев М.С.1,2, Хабибуллин Р.А.6, Буравлев А.Д.2,4,5
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки “Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)”
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”
- Автономная некоммерческая организация высшего образования “Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”
- Федеральное государственное автономное научное учреждение “Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 907-912
- Раздел: Статьи
- URL: https://bakhtiniada.ru/0367-6765/article/view/135418
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701570
- EDN: https://elibrary.ru/VODKEC
- ID: 135418
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Предложены несколько конструкций терагерцевых излучателей, основанных на совершенных сверхрешетках AlGaAs/GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Для разработанных конструкций рассчитаны энергии переходов, коэффициенты усиления и потерь излучения, которые определили дизайн созданных экспериментальных структур.
Об авторах
А. С. Дашков
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”
Автор, ответственный за переписку.
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Л. Г. Герчиков
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Л. И. Горай
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”; Автономная некоммерческая организация высшего образования
“Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Н. Ю. Харин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург
М. С. Соболев
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Р. А. Хабибуллин
Федеральное государственное автономное научное учреждение“Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова
Российской академии наук”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Москва
А. Д. Буравлев
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”; Автономная некоммерческая организация высшего образования
“Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург
Список литературы
- Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. // ФТП. 1971. Т. 5. № 4. С. 797.
- Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. No. 1. P. 61.
- Bosco L., Franckie M., Scalari G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. Art. No. 010601.
- Leyman R., Bazieva N., Kruczek T. et al. // Recent Pat. Signal Process. 2012. V. 2. Art. No. 12.
- Mattsson M.O., Simkó M. // Med. Devices (Auckland, NZ). 2019. V. 12. P. 347.
- Banerjee A., Vajandar S., Basu T. Terahertz biomedical and healthcare technologies. Amsterdam: Elsevier, 2020. p. 225.
- Federici J.F., Schulkin B., Huang F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 7. Art. No. S266.
- Knipper R., Brahm A., Heinz E. et al. // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2015. V. 5. No. 6. P. 999.
- Piesiewicz R., Jacob M., Koch M. et al. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2008. V. 14. No. 2. P. 421.
- Niu Z., Zhang B., Wang J. et al. // China Commun. 2020. V. 17. No. 3. P.131.
- Khalatpour A., Paulsen A.K., Deimert C. et al. // Nature. Photon. 2021. V. 15. No. 1. P. 16.
- Lu Q., Razeghi M. // Photonics. 2016. V. 3. No. 3. P. 42.
- Vitiello M.S., Tredicucci A. // Adv. Phys.-X. 2021. V. 6. No. 1. Art. No. 1893809.
- Köhler R., Tredicucci A., Beltram F. et al. // Nature. 2002. V. 417. No. 6885. P. 156.
- Wannier G.H. // Phys. Rev. 1960. V. 117. No. 2. P. 432.
- Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. № 2. С. 128; Altukhov I.V., Dizhur S.E., Kagan M.S. et al. // JETP Lett. 2016. V. 103. No. 2. P. 122.
- Kagan M.S., Altukhov I.V., Paprotskiy S.K. et al. // Lith. J. Phys. 2014. V. 54. No. 1. P. 50.
- Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 102. № 4. С. 235; Andronov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // JETP Lett. 2015. V. 102. No. 4. P. 207.
- Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // ФTП. 2018. T. 52. № 4. C. 463; Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // Semiconductors. 2018. V. 52. No. 4. P. 431.
- Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Квант. электрон. 2010. Т. 40. № 5. С. 400; Andro-nov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // Quantum Electron. 2010. V. 40. No. 5. P. 400.
- Jirauschek C. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. No. 9. P. 1059.
- Kane E.O. Handbook on semiconductors. Amsterdam: Elsevier. 1982. P. 193.
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 11. P. 5815.
- Williams B.S. // Nature Photonics. 2007. V. 1. No. 9. P. 517.
- Kohen S., Williams B.S., Hu Q. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. No. 5. Art. No. 053106.
- Dashkov A.S., Goray L.I. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1410. Art. No. 012085.
- Jirauschek C., Kubis T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. No. 1. Art. No. 011307.
- Dashkov A.S., Goray L.I. // Semiconductors. 2020. V. 54. No. 14. P. 1823.
- Sirtori C., Capasso F., Faist J., Scandolo S. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. No. 12. P. 8663.
- Горай Л.И., Пирогов Е.В., Соболев М.С. и др. // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 11. С. 1906; Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Tech. Phys. 2020. V. 65. No. 11. P.1822.
- Горай Л.И., Пирогов Е.В., Свечников М.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 15. С. 7; Goray L.I., Pirogov E.V., Svechnikov M.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 10. P. 757.
- Goray L.I., Pirogov E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1914.
- Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // J. Physics D. 2020. V. 53. No. 45. Art. No. 455103.
- Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1910.
- Beere H.E., Fowler J.C., Alton J. et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 278. No. 1. P. 756.
- Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д. // ЖЭТФ. 2021. Т. 160. № 2. С. 197; Gerchikov L.G., Dashkov A.S., Goray L.I., Bouravleuv A.D. // JETP. 2021. V. 133. No. 2. P. 161.
Дополнительные файлы
