Intrinsic Stimulated Intense Picosecond Emission in the Amplification Saturation Mode and the “Threshold” State of Electron-Hole Plasma in the AlxGa1 – xAs–GaAs–AlxGa1 – xAs Heterostructure

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The review presents the third part of the experimental study of emission and the optoelectronic effects excited by it. At the beginning of a powerful optical picosecond pumping of the GaAs layer of the AlxGa1 – xAs–GaAs–AlxGa1 – xAs heterostructure, a picosecond emission has occurred in it. It has been
experimentally proved that this is enhanced spontaneous (stimulated) emission with the propagation specifics in the heterostructure. It has been shown that the electron–hole plasma is maintained in a “threshold” state with an inversion of the electron population in a narrow energy range because of high emission intensity. In this regard, the electron temperature and therefore, their distribution between valleys, etc., becomes uniquely related to their density. It has been found that limiting the inversion meant the emission amplification saturation when the amplification is limited by the energy transport of charge carriers to the levels from which they are forced to recombine. It has been determined that the transport being slowed down by the heating of carriers because of their interaction with emission determines the dynamics of the emission as a whole and its spectral components when the temperature of the carriers is related to their density.

Авторлар туралы

N. Ageeva

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: bil@cplire.ru
Moscow, 125009 Russia

I. Bronevoi

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: bil@cplire.ru
Moscow, 125009 Russia

A. Krivonosov

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: bil@cplire.ru
Moscow, 125009 Russia

Әдебиет тізімі

  1. Ageeva N.N., Bronevoi I.L., Kumekov S.E. et al. // Proc. SPIE. 1992. V. 1842. P. 70.
  2. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др. // Известия РАН. Сер. Физическая. 1994. Т. 58. № 7. С. 89.
  3. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.
  4. Звелто О. Принципы лазеров. CПб.: Лань, 2008.
  5. Casperson L.W. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. № 1. P. 256.
  6. Соловьев В.Д. Физика лазеров. Текст лекций (4‑й курс). СПб.: СПб гос. политех. ун-т, 2012. http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf.
  7. Калафати Ю.Д., Кокин В.А. // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. № 6. С. 1793.
  8. Броневой И.Л., Гадонас Р.А., Красаускас В.В. и др.// Письма в ЖЭТФ. 1985. Т.42. № 8. С. 322.
  9. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1975.
  10. Броневой И.Л., Кумеков С.Е., Перель В.И. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. № 8. С. 368.
  11. Hulin D., Joffre M., Migus A. et al. // J. de Physique Colloques. 1987. V. 48. № C5. P. 267.
  12. Fox A.M., Manning R.J., Miller A. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. № 11. P. 4287.
  13. Ageeva N.N., Bronevoi I.L., Dyadyushkin E.G. et al. // Sol. Stat. Commun. 1989. V. 72. № 7. P. 625.
  14. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Дядюшкин Е.Г., Явич Б.С. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 48. № 5. С. 252.
  15. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2013. Т. 143. № 4. С. 634.
  16. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2020. Т. 54. № 1. С. 25.
  17. Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Физматлит, 2003.
  18. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н. и др. // ПТЭ. 2011. № 4. С. 108.
  19. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // Журн. радиоэлектроники. 2018. № 11. http://jre.cplire.ru/jre/nov18/13/text.pdf.
  20. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2013. Т. 144. № 2. С. 227.
  21. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2020. Т. 54. № 10. С. 1018.
  22. Семенов Н.А. Техническая электродинамика. М.: Связь, 1973.
  23. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. № 2. С. 144.
  24. Goebel E.O., Hildebrand O., Lohnert K. // IEEE J. Quantum Electron. 1977. V. 13. № 10. P. 848.
  25. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1981.
  26. Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ФТП. 1998. Т. 32. № 5. С. 537.
  27. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2021. Т. 55. № 2. С. 121.
  28. Shah J., Leheny R.F., Lin C. // Sol. Stat. Commun. 1976. V. 18. № 8. P. 1035.
  29. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2017. Т. 51. № 5. С. 594.
  30. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2022. Т. 56. № 3. С. 307.
  31. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2012. Т. 46. № 7. С. 944.
  32. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др. // ФТП. 2007. Т. 41. № 12. С. 1418.
  33. Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ФТП. 1998. Т. 32. № 5. С. 542.
  34. Stern F. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. № 12. P. 5382.
  35. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. № 1. С. 65.
  36. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2019. Т. 53. № 11. С. 1471.
  37. Ageeva N.N., Borisov V.B., Bronevoi I.L. et al. // Sol. Stat. Commun. 1990. V. 75. № 3. P. 167.
  38. Ageeva N.N., Bronevoi I.L., Mironov V.A. et al. // Sol. Stat. Commun. 1992. V. 81. № 12. P. 969.
  39. Olego D., Cardona M. // Phys. Rev. B. 1980. V. 22. № 2. P. 886.
  40. Tarucha S., Kobayashi H., Horikoshi Y., Okamoto H. // Japan J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 7R. P. 874.
  41. Райс Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.: Мир, 1980.
  42. Теория неоднородного электронного газа / Под ред. С. Лундквиста и Н. Марча. М.: Мир, 1995.
  43. Combescot M., Noziers P. // J. Phys. C. 1972. V. 5. № 17. P. 2369.
  44. Blakemore J.S. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 10. P. R123.
  45. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981.
  46. Casey Jr. H.C., Stern F. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. № 2. P. 631.
  47. Sernelius B.E. // Phys. Rev. B. 1986. V. 33. № 12. P. 8582.
  48. Camassel J., Auvergne D., Mathieu H. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. № 6. P. 2683.
  49. Tomita A., Suzuki A. // IEEE J. Quantum Electron. 1987. V. 23. № 7. P.1155.
  50. Bronevoi I.L., Krivonosov A.N., Perel’ V.I. // Sol. Stat. Commun. 1995. V. 94. № 5. P. 363.
  51. Бломберген Н. // Успехи физ. наук. 1969. Т. 97. № 2. С. 307.
  52. Платцман Ф., Вольф П. // Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. М.: Мир, 1975.
  53. Skerdin G., Stiens J., Vounckx R. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85 № 7. P. 3792.
  54. Brinkman W.F., Rice T.M. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. № 4. P. 1508.
  55. Маделунг O. // Теория твердого тела. М.: Наука, 1980.
  56. Adachi S. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 3. P. R1.
  57. Dreselhaus G., Kip A.F., Kittel C. // Phys. Rev. 1955. V. 98. № 2. P. 368.
  58. Грундман М. // Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2012.
  59. Кумеков С.Е., Перель В.И. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. № 1. С. 346.
  60. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2021. Т. 55. № 2. С. 113.
  61. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2021. Т. 55. № 5. С. 434.
  62. Dicke R.H. // Phys. Rev. 1954. V. 93. № 1. P. 99.
  63. Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2022. Т. 56. № 4. С. 394.
  64. Физика полупроводниковых лазеров / Под ред. Х. Такумы. М.: Мир, 1989.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2.

Жүктеу (165KB)
Метадеректер
3.

Жүктеу (49KB)
Метадеректер
4.

Жүктеу (97KB)
Метадеректер
5.

Жүктеу (54KB)
Метадеректер
6.

Жүктеу (81KB)
Метадеректер
7.

Жүктеу (128KB)
Метадеректер
8.

Жүктеу (162KB)
Метадеректер
9.

Жүктеу (101KB)
Метадеректер
10.

Жүктеу (105KB)
Метадеректер
11.

Жүктеу (62KB)
Метадеректер
12.

Жүктеу (119KB)
Метадеректер
13.

Жүктеу (54KB)
Метадеректер
14.

Жүктеу (86KB)
Метадеректер
15.

Жүктеу (88KB)
Метадеректер
16.

Жүктеу (122KB)
Метадеректер
17.

Жүктеу (66KB)
Метадеректер
18.

Жүктеу (95KB)
Метадеректер
19.

Жүктеу (49KB)
Метадеректер
20.

Жүктеу (80KB)
Метадеректер
21.

Жүктеу (75KB)
Метадеректер
22.

Жүктеу (42KB)
Метадеректер
23.

Жүктеу (180KB)
Метадеректер
24.

Жүктеу (114KB)
Метадеректер
25.

Жүктеу (63KB)
Метадеректер
26.

Жүктеу (111KB)
Метадеректер
27.

Жүктеу (57KB)
Метадеректер
28.

Жүктеу (116KB)
Метадеректер
29.

Жүктеу (81KB)
Метадеректер
30.

Жүктеу (60KB)
Метадеректер
31.

Жүктеу (59KB)
Метадеректер
32.

Жүктеу (60KB)
Метадеректер
33.

Жүктеу (131KB)
Метадеректер
34.

Жүктеу (54KB)
Метадеректер
35.

Жүктеу (122KB)
Метадеректер
36.

Жүктеу (46KB)
Метадеректер
37.

Жүктеу (93KB)
Метадеректер
38.

Жүктеу (47KB)
Метадеректер
39.

Жүктеу (72KB)
Метадеректер
40.

Жүктеу (38KB)
Метадеректер
41.

Жүктеу (58KB)
Метадеректер
42.

Жүктеу (51KB)
Метадеректер
43.

Жүктеу (94KB)
Метадеректер

© Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».