Molecular dynamics simulations of defect formation in thin graphite films using the density functional tight-binding method


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Point defect formation within graphene and ultra-thin graphite films is considered by means of molecular dynamics simulations in the framework of the density functional tight-binding approach. The barrier energy for vacancy formation is estimated and two types of defect formation are revealed.

Авторлар туралы

I. Shein

Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch

Email: Enyashin@ihim.uran.ru
Ресей, Ekaterinburg

M. Kuznetsov

Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch

Email: Enyashin@ihim.uran.ru
Ресей, Ekaterinburg

A. Enyashin

Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Enyashin@ihim.uran.ru
Ресей, Ekaterinburg

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016