Contribution of Mechanical Stresses to the Surface Relief Formation Under Laser Irradiation of Semiconductors

V. G. Sredin; A. V. Voitsekhovskii; M. V. Sakharov; N. Kh. Talipov

doi:10.1007/s11182-019-01814-9

Contribution of Mechanical Stresses to the Surface Relief Formation Under Laser Irradiation of Semiconductors

Авторлар: Sredin V.G.¹, Voitsekhovskii A.V.², Sakharov M.V.¹, Talipov N.K.¹
Мекемелер:
1. Peter the Great Military Academy of Strategic Missile Forces
2. National Research Tomsk State University
Шығарылым: Том 62, № 6 (2019)
Беттер: 1062-1065
Бөлім: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1064-8887/article/view/241974
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-019-01814-9
ID: 241974

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The paper considers the effect of elastic stresses arising under pulsed laser irradiation of epitaxial layers of Cd_xHg_1–xTe solid solutions on the formation of a periodic surface relief as a result of recrystallization of material melted by radiation.