BN, AlN, GaN, InN: Charge Neutrality Level, Surface, Interfaces, Doping


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

On the basis of the charge neutrality concept, the analysis is fulfilled of the experimental data on the electron properties of the defective semiconductors after the radiation exposure, the electronic parameters of interfaces, surface work function and efficiency of doping with the impurities of high solubility in the nitrides of the group wz-III-N (BN, AlN, GaN, InN). The numerical evaluations of the charge neutrality levels in these compounds are presented.

Авторлар туралы

V. Brudnyi

National Research Tomsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: brudnyi@mail.tsu.ru
Ресей, Tomsk

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media New York, 2017