Informaçao sobre o Autor
Loshkarev, I. D.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 60, Nº 2 (2017) | Physics of Semiconductors and Dielectrics | Growth of Epitaxial SiSn Films with High Sn Content for IR Converters | |
| Volume 60, Nº 11 (2018) | Article | Effect of a Stepped Si(100) Surface on the Nucleation Process of Ge Islands |