Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

L. S. Lunin; M. L. Lunina; A. S. Pashchenko; D. L. Alfimova; D. A. Arustamyan; A. E. Kazakova

doi:10.1134/S1063785019030313

Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

Авторлар: Lunin L.S.¹, Lunina M.L.¹, Pashchenko A.S.¹, Alfimova D.L.¹, Arustamyan D.A.¹, Kazakova A.E.¹
Мекемелер:
1. Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 45, № 3 (2019)
Беттер: 250-252
Бөлім: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/208247
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019030313
ID: 208247

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

GaP/Si/Ge nanoheterostructures have been obtained using the method of pulsed laser deposition, and an energy band diagram of cascade solar cells based on these heterostructures were modeled. GaP and Ge nanolayers grown on Si substrates were studied by Raman spectroscopy and X-ray diffraction. Spectral dependences of the external quantum efficiency response of GaP/Si/Ge nanoheterostructures were determined.