Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas

D. I. Khusyainov; A. M. Buryakov; V. R. Bilyk; E. D. Mishina; D. S. Ponomarev; R. A. Khabibullin; A. E. Yachmenev

doi:10.1134/S1063785017110220

Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas

Авторлар: Khusyainov D.I.¹, Buryakov A.M.¹, Bilyk V.R.¹, Mishina E.D.¹, Ponomarev D.S.², Khabibullin R.A.², Yachmenev A.E.²
Мекемелер:
1. Moscow Technological University (MIREA)
2. Institute of Microwave Semiconductor Electronics
Шығарылым: Том 43, № 11 (2017)
Беттер: 1020-1022
Бөлім: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/206497
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017110220
ID: 206497

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect of epitaxial stresses on the excess-carrier dynamics and the terahertz radiation spectrum of the In_yGa_1–yAs films have been investigated by optical pump-probe and terahertz time-domain spectroscopy. It has been demonstrated that a In_yGa_1–yAs film with a higher mechanical stress has the shorter excesscarrier lifetime and broader terahertz radiation spectrum.