Synthesis of Highly Oriented Zinc-Oxide Films on Amorphous Substrates by the Method of Direct-Current Magnetron Sputtering


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

We describe the technology of obtaining highly oriented zinc-oxide (ZnO) films on amorphous substrates at high growth rates (up to 7 nm/s) by means of direct-current magnetron sputtering. It is suggested to optimize the substrate position with respect to magnetron and consider the floating potential to which the substrate is charged in magnetron discharge plasma as one of the main technological parameters. Electrondiffraction study of the structural characteristics of the obtained ZnO films showed that increase in the substrate temperature was accompanied by transformation of the crystallite shape from platelike to columnar.

Об авторах

A. Ismailov

Dagestan State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: egdada@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367000

L. Emiraslanova

Dagestan State University

Email: egdada@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367000

M. Rabadanov

Dagestan State University

Email: egdada@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367000

M. Rabadanov

Dagestan State University

Email: egdada@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367000

I. Aliev

Dagestan State University

Email: egdada@mail.ru
Россия, Makhachkala, Dagestan, 367000

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).