The effect of low doses of gamma radiation on the electrophysical properties of mesoporous silicon

D. I. Bilenko; V. V. Galushka; E. A. Zharkova; V. I. Sidorov; D. V. Terin; E. I. Khasina

doi:10.1134/S1063785017020031

The effect of low doses of gamma radiation on the electrophysical properties of mesoporous silicon

Авторы: Bilenko D.I.¹, Galushka V.V.¹, Zharkova E.A.¹, Sidorov V.I.¹, Terin D.V.¹, Khasina E.I.¹
Учреждения:
1. Chernyshevsky Saratov State University
Выпуск: Том 43, № 2 (2017)
Страницы: 166-168
Раздел: Article
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7850/article/view/203355
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017020031
ID: 203355

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The effect of low exposure doses (5–40 kR) of gamma radiation on the electrical properties of structures based on a mesoporous silicon (SiMP) layer is investigated. It is demonstrated that the conductivity of the SiMP layer increases, the Fermi level shifts, and the trap density changes in gamma-irradiated Al/SiMP/p-Si/Al structures. Long-term stable switched-state memory in the region of the I–V curve hysteresis is revealed. This effect is controlled by the irradiation dose.