Nondestructive Control of the Surface, Layers, and Charge Carrier Concentration on SiC Substrates and Structures

A. V. Markov; M. F. Panov; V. P. Rastegaev; E. N. Sevost’yanov; V. V. Trushlyakova

doi:10.1134/S1063784219120181

Nondestructive Control of the Surface, Layers, and Charge Carrier Concentration on SiC Substrates and Structures

Авторлар: Markov A.V.¹, Panov M.F.¹, Rastegaev V.P.¹, Sevost’yanov E.N.¹, Trushlyakova V.V.¹
Мекемелер:
1. St. Petersburg State Electrotechnical University LETI
Шығарылым: Том 64, № 12 (2019)
Беттер: 1774-1779
Бөлім: Solid State
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7842/article/view/204864
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219120181
ID: 204864

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Silicon carbide substrates and epitaxial structures are investigated by nondestructive contactless methods. Parameters of the disrupted surface layer and roughnesses are determined using ellipsometry and atomic force microscopy. The free charge carrier concentration is determined by IR spectroscopy. The thicknesses in the multilayer epitaxial structure on SiC are determined using IR spectroscopy and scanning electron microscopy.