Formation of semiconductor titanium disilicide

A. A. Kovalevskii; V. A. Labunov; A. S. Strogova; V. V. Tsybul’skii

doi:10.1134/S1063784216090139

Formation of semiconductor titanium disilicide

Авторлар: Kovalevskii A.A.¹, Labunov V.A.¹, Strogova A.S.¹, Tsybul’skii V.V.¹
Мекемелер:
1. State University of Informatics anf Radioelectronics
Шығарылым: Том 61, № 9 (2016)
Беттер: 1343-1345
Бөлім: Solid State
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7842/article/view/197983
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216090139
ID: 197983

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Nanostructured titanium disilicide powders with semiconductor properties are synthesized and studied. The optical and electrophysical properties of TiSi₂ are found to be controlled by its crystallite size.